[发明专利]一种OLED封装结构、掩膜版以及喷墨打印装置在审
申请号: | 201810353620.1 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN108448009A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 毛明;蒋志亮;王格;赵攀 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 贾莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无机薄膜层 显示基板 封装结构 喷墨打印装置 薄膜封装层 有机薄膜层 非显示区 显示区 掩膜版 显示区边缘 背离 覆盖 申请 | ||
1.一种OLED封装结构,其特征在于,包括显示基板以及覆盖所述显示基板的薄膜封装层;
所述薄膜封装层包括依次背离所述显示基板的第一无机薄膜层、有机薄膜层以及第二无机薄膜层;
所述显示基板上设置有显示区以及位于所述显示区周边的非显示区;
在所述非显示区,所述第一无机薄膜层中与所述第二无机薄膜层接触部分的高度,小于或等于所述第一无机薄膜层中与所述有机薄膜层接触部分的高度。
2.根据权利要求1所述的OLED封装结构,其特征在于,
所述第一无机薄膜层与所述有机薄膜层接触部分的表面为第一超疏液表面;
所述第一无机薄膜层背离所述显示基板一侧表面中,所述第一超疏液表面的摩擦系数大于其余部分的摩擦系数。
3.根据权利要求2所述的OLED封装结构,其特征在于,所述第一超疏液表面的宽度为50μm~400μm。
4.一种用于制作如权利要求1-3任一项所述的OLED封装结构的掩膜版,其特征在于,
所述掩膜版包括掩膜基底;所述掩膜基底上具有多个开孔,每个所述开孔与母板上的一个显示基板相对应;
所述掩膜版还包括位于所述掩膜基底上的多个围堰,每个所述围堰与一个所述开孔相对应;
所述围堰包括多个挡墙,多个所述挡墙依次首尾相接,且沿所述开孔的周边围成用于容纳墨汁的闭合框架。
5.根据权利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述挡墙的内壁与所述掩膜基底的水平面之间具有夹角,所述夹角为锐角。
6.根据权利要求5所述的掩膜版,其特征在于,所述围堰靠近所述掩膜基底一侧的开口的边界与所述掩膜基底上的开孔的边界重合。
7.根据权利要求4-6任一项所述的掩膜版,其特征在于,所述挡墙的内壁和/或所述开孔的侧壁为第二超疏液表面;
所述第二超疏液表面的液体滚动角小于或等于10°。
8.根据权利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述围堰与所述掩膜基底为一体结构。
9.根据权利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述挡墙的高度为9μm~11μm。
10.一种喷墨打印装置,其特征在于,包括如权利要求4-9任一项所述的掩膜版。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择