[发明专利]真空吸附底座在审
申请号: | 201810353919.7 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN108538777A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 陈皓 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空吸附 主底座 真空管道 副底座 吸附槽 基台 底座 外部真空源 玻璃基板 第一表面 连通 底座更换 吸附 灵活 移动 | ||
1.一种真空吸附底座,用于真空吸附玻璃基板,其特征在于,包括:基台、主底座和至少一个副底座;所述主底座固定于所述基台的表面,所述主底座包括远离所述基台的第一表面,所述第一表面设有第一吸附槽,所述主底座上设有与外部真空源连接的第一真空管道,所述第一吸附槽与所述第一真空管道连通;至少一个所述副底座可相对于所述主底座移动,至少一个所述副底座包括远离所述基台的表面设有第二吸附槽,至少一个所述副底座上设有与外部真空源连接的第二真空管道,所述第二吸附槽与所述第二真空管道连通。
2.如权利要求1所述的真空吸附底座,其特征在于,所述基台的表面设有至少一个由所述主底座周缘向外延伸的滑轨,至少一个所述滑轨与至少一个所述副底座滑动连接。
3.如权利要求2所述的真空吸附底座,其特征在于,所述滑轨上设有标尺,所述标尺用于定位所述副底座。
4.如权利要求2或3所述的真空吸附底座,其特征在于,所述副底座包括支撑柱和与所述支撑柱固定连接的承载板,所述支撑柱滑动连接于所述滑轨上,所述承载板包括远离所述支撑柱的第二表面,所述第二吸附槽设于所述第二表面,所述第二表面与所述基台之间的距离等于所述第一表面与所述基台之间的距离。
5.如权利要求4所述的真空吸附底座,其特征在于,所述承载板包括与所述第二表面相对设置的第三表面,至少一对调整旋钮沿所述支撑柱对称分布于所述第三表面,所述调整旋钮用于调节所述副底座的高度。
6.如权利要求5所述的真空吸附底座,其特征在于,所述承载板的周缘设有位置传感器,所述位置传感器用于检测所述第二表面的平整度。
7.如权利要求4所述的真空吸附底座,其特征在于,所述副底座与所述滑轨之间设有固锁结构,所述固锁结构用于将所述副底座锁紧在所述滑轨上。
8.如权利要求4所述的真空吸附底座,其特征在于,所述第一吸附槽均匀分布在所述第一表面,所述第二吸附槽均匀分布在所述第二表面。
9.如权利要求8所述的真空吸附底座,其特征在于,所述第一表面设有覆盖所述第一吸附槽的第一缓冲垫,所述第二表面设有覆盖所述第二吸附槽的第二缓冲垫,所述第一缓冲垫和所述第二缓冲垫用于缓冲所述主底座和所述副底座对所述玻璃基板的吸附力。
10.如权利要求2所述的真空吸附底座,其特征在于,所述真空吸附底座包括驱动部,所述驱动部用于驱动所述副底座在所述滑轨上滑动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造