[发明专利]一种硅片单面刻蚀抛光的方法

权利要求书

1.一种硅片单面刻蚀抛光的方法，所述硅片的上表面覆盖有PSG层，所述硅片的下表面及侧面边缘已去除PSG层，其特征在于包括：

步骤1、利用硅片花篮将硅片放入第一碱洗槽，硅片浸泡在第一碱洗槽内的碱液中碱洗，去除硅片表面的污染物并形成一层氧化层；

步骤2、将硅片放入第一水槽，硅片浸泡在第一水槽内的去离子水中清洗；

步骤3、将硅片放入刻蚀抛光槽，硅片浸泡在刻蚀抛光槽内的碱液中，对硅片下表面及侧面边缘进行刻蚀抛光；

步骤4、将硅片放入清洗槽组中清洗；

步骤5、将硅片放入酸洗槽，硅片浸泡在酸洗槽内的酸液中酸洗；

步骤6、将硅片放入水洗槽中清洗；

步骤7、将硅片放入烘干槽组中干燥。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一碱洗槽内的碱液使用KOH和H₂O₂的混合溶液、或使用NaOH和H₂O₂的混合溶液；

KOH或NaOH浓度为0.1%~5%，H₂O₂浓度为0.5%~10%，碱液的温度为20℃~40℃，反应时间为30秒~90秒。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀抛光槽内的碱液使用KOH溶液和抛光添加剂、或使用NaOH溶液和抛光添加剂；

KOH或NaOH浓度为0.5%~10%，碱液的温度为60℃~80℃，反应时间为60秒~240秒。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸洗槽内的酸液使用HF和HCl的混合溶液，HF浓度为1%-5%，HCl浓度为0%-10%。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4中清洗槽组包括依次排列的第二水槽、第二碱洗槽、第三水槽；

所述步骤4包括：步骤4.1、将硅片放入第二水槽中清洗，去除硅片表面的药液残留；步骤4.2、将硅片放入第二碱洗槽，硅片浸泡在第二碱洗槽内的碱液中碱洗，清洗硅片表面的污染物；步骤4.3、将硅片放入第三水槽中清洗，去除硅片表面的碱液残留。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4中清洗槽组包括依次排列的第二水槽、第二碱洗槽、第三水槽、RCA清洗槽；

所述步骤4包括：步骤4.1、将硅片放入第二水槽中清洗，去除硅片表面的药液残留；步骤4.2、将硅片放入第二碱洗槽，硅片浸泡在第二碱洗槽内的碱液中碱洗，清洗硅片表面的污染物；步骤4.3、将硅片放入第三水槽中清洗，去除硅片表面的碱液残留；步骤4.4、将硅片放入RCA清洗槽，硅片浸泡在RCA清洗槽内的清洗液中进行RCA清洗，清洗硅片表面的污染物。

7.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述第二碱洗槽内的碱液使用KOH和H₂O₂的混合溶液、或使用NaOH和H₂O₂的混合溶液；

KOH或NaOH浓度为0.1%~5%，H₂O₂浓度为0.5%~10%，碱液的温度为40℃~60℃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4中清洗槽组包括依次排列的第二水槽和RCA清洗槽；

所述步骤4包括：步骤4.1、将硅片放入第二水槽中清洗，去除硅片表面的药液残留；步骤4.2、将硅片放入RCA清洗槽，硅片浸泡在RCA清洗槽内的清洗液中进行RCA清洗，清洗硅片表面的污染物。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤7中烘干槽组包括依次排列的慢提拉槽和烘干槽；

步骤7包括：步骤7.1、将硅片放入慢提拉槽，硅片浸泡在高纯水中，慢慢提拉硅片出水；步骤7.2、将硅片放入烘干槽中烘干。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述慢提拉槽内的高纯水温度为60℃~80℃。