[发明专利]一种掩膜版及其制造方法

权利要求书

1.一种掩膜版，其特征在于，包括：

衬底，具有相背的第一表面和第二表面，所述衬底内具有贯穿所述衬底的多个开口，所述衬底的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；

位于所述第一表面的掩膜图形层，所述掩膜图形层的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；

所述掩膜图形层具有图形区和遮挡区，每一所述图形区具有至少一个通孔，所述开口暴露出所述图形区，每一所述开口与一所述图形区相对且暴露出图形区中的所有通孔，所述遮挡区位于所述图形区的外侧、与所述衬底相对；

顶层衬底层，位于所述掩膜图形层与所述第一表面相背的表面上，其中，所述顶层衬底层中具有贯穿所述顶层衬底层的多个凹槽，所述凹槽露出所述图形区，每一所述凹槽与一所述图形区相对且暴露出图形区中的所有所述通孔；其中，所述衬底为SOI的底层硅，所述顶层衬底层为SOI的顶层硅，所述掩膜图形层为SOI的埋层；

位于所述通孔的表面的支撑层；

所述掩膜版用于OLED器件中有机发光层的蒸镀工艺。

2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，还包括：第一支撑层，覆盖所述顶层衬底层、所述凹槽的表面。

3.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，第二支撑层，至少覆盖所述开口的表面、所述衬底的第二表面。

4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，还包括：第三支撑层，第三支撑层至少覆盖所述掩膜图形层与所述第一表面相邻的表面，和/或，还包括第四支撑层，所述第四支撑层至少覆盖所述掩膜图形层与所述第一表面相背的表面。

5.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，还包括：保护层，位于所述掩膜版的最顶层，具有贯穿所述保护层的多个沟槽，所述沟槽露出所述凹槽，每一所述沟槽与一所述凹槽相对。

6.如权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第二支撑层的材料包括金属材料或者绝缘材料，其中，所述金属材料包括Ni、Ag、Au、Cu、Pt、Cr、Mo、Ti、Ta、Sn、W和Al中的至少一种金属；所述绝缘材料包括氮化硅。

7.如权利要求2或3或4所述的掩膜版，其特征在于，位于所述通孔侧壁上的支撑层的厚度小于所述通孔的半径。

8.一种掩膜版的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，具有相背的第一表面和第二表面，在所述衬底的所述第一表面上依次形成有掩膜层以及顶层衬底层；

利用半导体刻蚀工艺刻蚀所述顶层衬底层，以形成贯穿所述顶层衬底层的多个凹槽，所述凹槽露出预定形成的图形区；

根据预定的图形，利用半导体刻蚀工艺刻蚀所述掩膜层，形成掩膜图形层，所述掩膜图形层具有图形区和遮挡区，每一所述图形区具有至少一个通孔，所述遮挡区位于所述图形区的外侧；其中，所述衬底为SOI的底层硅，所述顶层衬底层为SOI的顶层硅，所述掩膜图形层为SOI的埋层，每一所述凹槽与一所述图形区相对且暴露出图形区中的所有所述通孔；

形成覆盖所述通孔侧壁的支撑层；

利用半导体刻蚀工艺刻蚀所述衬底，以形成贯穿所述衬底的多个开口，其中，所述开口暴露出所述图形区，每一所述开口与一所述图形区相对且暴露出图形区中的所有所述通孔；

利用所制造的掩膜版进行OLED器件中有机发光层的蒸镀工艺。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，还包括：形成第一支撑层，所述第一支撑层覆盖所述顶层衬底层的顶面、所述凹槽的表面；

和/或，

形成第二支撑层，所述第二支撑层覆盖所述衬底的第二表面、所述开口的表面。

10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，利用沉积工艺或键合工艺，在所述衬底的第一表面上依次形成所述掩膜层、所述顶层衬底层。