[发明专利]湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺

权利要求书

1.一种湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺，其特征在于，所述的湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺包括以下步骤：

判断湿法黑硅硅片不良品的绒面结构是否合格，若湿法黑硅硅片不良品的绒面结构合格，则采用步骤A；若湿法黑硅硅片不良品的绒面结构不合格，则采用步骤B；

其中，所述步骤A包括如下步骤：

将湿法黑硅硅片不良品依次经碱洗、纯水漂洗以及酸洗，以除去所述湿法黑硅硅片不良品表面的脏污，得到再处理之后的湿法黑硅硅片；

所述碱洗的操作为：采用质量浓度为0.1％～5％的碱溶液进行清洗，清洗温度为20℃～28℃，清洗时间为10s～110s；

所述酸洗的操作为：采用酸溶液进行清洗，清洗温度为20℃～28℃，清洗时间为30s～150s；其中，所述酸溶液包括如下质量份数的各组分：

质量分数为35％～37％的盐酸 5～30；以及

质量分数为48％～50％的氢氟酸 5～25；

其中，所述步骤B包括如下步骤：

将湿法黑硅硅片不良品依次经碱抛光、金属沉积、金属诱导催化、金属祛除、扩孔、碱洗以及酸洗，得到再处理之后的湿法黑硅硅片；

其中，碱抛光的操作为：采用质量浓度为0.1％～3％的碱溶液进行清洗，清洗温度为63℃～80℃，清洗时间为150s～230s。

2.根据权利要求1所述的湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺，其特征在于，步骤A的酸洗操作中，所述酸溶液包括如下质量份数的各组分：

质量分数为35％～37％的盐酸 5～30；

质量分数为48％～50％的氢氟酸 5～25；以及

质量分数为28％～30％的双氧水 5～25。

3.根据权利要求1或2所述的湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺，其特征在于，步骤A的酸洗操作中，所述酸溶液包括如下质量份数的各组分：

质量分数为35％～37％的盐酸 1；

质量分数为48％～50％的氢氟酸 1；以及

质量分数为28％～30％的双氧水 2。

4.根据权利要求1所述的湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺，其特征在于，所述步骤A的碱洗操作中，所述碱溶液选自氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、氨水溶液和四甲基氢氧化铵溶液中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺，其特征在于，所述步骤A的纯水漂洗的操作中：漂洗时间为15s～80s。

6.根据权利要求1所述的湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺，其特征在于，所述步骤A还包括酸洗之后烘干的步骤，所述烘干的操作为：采用惰性气体吹扫湿法黑硅硅片的表面，吹扫温度为40℃～65℃，吹扫时间为30s～150s。

7.根据权利要求1所述的湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺，其特征在于，所述步骤B的碱抛光操作中，所述碱溶液选自氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、氨水溶液和四甲基氢氧化铵溶液中的至少一种。