[发明专利]一种降低多晶硅铸锭位错的高效籽晶层

说明书

本发明为一种降低多晶硅铸锭位错的高效籽晶层，包含以下两层结构，底层为SiC层，所述SiC颗粒大小为20‑200目，表层为Si颗粒层，所述Si颗粒大小为20‑80目，所述SiC层颗粒均匀，杂质总量<10ppm，通过喷涂，涂覆等方式粘附在坩埚内底，所述的Si颗粒层颗粒均匀，杂质总量<10ppm，通过喷涂，涂覆等方式粘附在SiC层上，本发明的高效籽晶层，可有效降低由于坩埚导热性差而引起的铸锭位错。

技术领域

本发明涉及坩埚涂层领域，具体涉及一种降低多晶硅铸锭位错的高效籽晶层。

背景技术

多晶硅铸锭定向凝固的过程中，为便于形核，提高转化效率，往往在石英坩埚内底铺设石英砂，碎多晶或碳化硅等籽晶作为高效层，通过均质或异质形核的方式获得晶花均匀细密的多晶铸锭。高效层上需要涂覆氮化硅来避免铸锭生长过程中和底部坩埚粘连而发生裂锭。由于注凝成型坩埚底部导热性较差，常常导致铸锭的位错较高，甚至影响其转化效率。

发明内容

本发明公开了一种降低多晶硅铸锭位错的高效籽晶层，包含以下两层结构，底层为SiC层，所述SiC颗粒大小为20-200目，表层为Si颗粒层，所述Si颗粒大小为20-80目。

所述SiC层颗粒均匀，杂质总量&lt;10ppm，通过喷涂，涂覆等方式粘附在坩埚内底。

所述的Si颗粒层颗粒均匀，杂质总量&lt;10ppm，通过喷涂，涂覆等方式粘附在SiC层上。

本发明的高效籽晶层分两层结构，底部的SiC层既可以有效改善坩埚底部导热差的情况，减少热量波动导致的铸锭位错，同时SiC高温稳定性好，可以有效避免单纯采用Si颗粒引晶时粘锅裂锭的问题，上层的Si颗粒层作为同质形核层可以确保晶花均匀细密，两层的协调配合可明显减少铸锭中的位错。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式

一种降低多晶硅铸锭位错的高效籽晶层，底层为SiC层，所述SiC颗粒大小为20-200目，表层为Si颗粒层，所述Si颗粒大小为20-80目。SiC层颗粒均匀，杂质总量&lt;10ppm，通过喷涂，涂覆等方式粘附在坩埚内底。Si颗粒层颗粒均匀，杂质总量&lt;10ppm，通过喷涂，涂覆等方式粘附在SiC层上。