[发明专利]封装结构及焊接方法在审
申请号: | 201810355869.6 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN108493165A | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 邱原;陈传兴;吴鼎皞;王宏杰 | 申请(专利权)人: | 苏州通富超威半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/367 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 薛异荣;吴敏 |
地址: | 215021 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属导热层 镀金区域 封装结构 基板连接 散热盖 非镀金区域 顶盖 芯片 焊接 顶部表面 不接触 开口 环绕 容纳 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
基板连接层;
位于所述基板连接层部分表面的芯片;
位于所述芯片顶部表面的金属导热层;
位于所述基板连接层上的散热盖,所述散热盖围成的空间容纳所述芯片和金属导热层;
所述散热盖包括顶盖,所述顶盖包括镀金区域和位于镀金区域周围的非镀金区域,所述镀金区域与所述金属导热层表面接触,所述非镀金区域与所述金属导热层表面不接触,所述散热盖中具有位于非镀金区域且环绕所述镀金区域的凹槽,所述凹槽的开口朝向所述基板连接层。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述凹槽呈环状结构,所述凹槽具有环绕所述镀金区域的内侧壁以及环绕所述内侧壁的外侧壁。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述凹槽位于部分非镀金区域中;所述凹槽的外侧壁暴露出所述非镀金区域。
4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述凹槽的内侧壁暴露出所述镀金区域。
5.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述凹槽的内侧壁暴露出所述非镀金区域。
6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述凹槽的内侧壁至所述镀金区域的边缘之间的距离大于零且小于等于5毫米。
7.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述凹槽的宽度为0.5毫米~10毫米。
8.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述凹槽位于整个非镀金区域中,所述凹槽的外侧壁暴露出所述侧盖,所述凹槽的内侧壁暴露出所述镀金区域。
9.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述凹槽的深度为0.1毫米~2毫米。
10.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述散热盖还包括侧盖,所述侧盖与所述顶盖连接,所述侧盖位于所述基板连接层的边缘区域上且位于芯片的侧部,所述顶盖位于所述侧盖、金属导热层和芯片上。
11.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述金属导热层的材料为铟、铟合金或银合金。
12.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述镀金区域朝向所述金属导热层的表面具有第一镀层,第一镀层与所述金属导热层表面接触,所述第一镀层的材料为金;所述非镀金区域朝向基板连接层的表面具有第二镀层,所述第二镀层的材料为镍。
13.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述芯片投影至所述散热盖的形状呈矩形,所述芯片投影至所述散热盖的形状具有相对的两条第一边、以及相对的两条第二边,第一边分别和第二边的两端连接,第一边的长度大于第二边的长度;所述镀金区域的表面形状呈矩形,所述镀金区域的表面形状具有相对的两条第三边、以及相对的两条第四边,第三边分别和第四边的两端连接,第三边的长度大于第四边的长度;所述第一边平行于所述第三边,所述第二边平行于所述第四边;
所述第三边的长度等于第一边的长度与2倍的最大位置误差之和;所述第四边的长度等于第二边的长度与2倍的最大位置误差之和。
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