[发明专利]一种肖特基紫外探测器及其制造方法有效
申请号: | 201810356353.3 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN108615783B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 陈达;罗海龙;叶菲 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/18 |
代理公司: | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人: | 高伟;翟海青 |
地址: | 315800 浙江省宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 肖特基接触 金属 材料层 衬底 肖特基紫外探测器 欧姆接触电极 光生载流子 探测器灵敏度 材料层表面 紫外探测器 紫外光 收集效率 凸起结构 覆盖 制造 吸收 | ||
1.一种肖特基紫外探测器,其特征在于,包括:
衬底;
欧姆接触电极,形成在所述衬底的表面上;
第一ZnO材料层,覆盖所述衬底及所述欧姆接触电极;
肖特基接触金属,形成在所述第一ZnO材料层表面上,其中,所述肖特基接触金属包括底部肖特基接触金属,以及形成在所述底部肖特基接触金属上的若干个凸起结构;其中,所述底部肖特基接触金属覆盖部分所述第一ZnO材料层;
第二ZnO材料层,覆盖所述肖特基接触金属,并与所述第一ZnO材料层在边缘处相接触。
2.如权利要求1所述的肖特基紫外探测器,其特征在于,所述凸起结构呈阵列排布;所述凸起结构的形状为长条形或者柱状。
3.如权利要求1所述的肖特基紫外探测器,其特征在于,所述第一ZnO材料层的材料包括n型ZnO或本征ZnO;所述第二ZnO材料层的材料包括n型ZnO或本征ZnO。
4.如权利要求1所述的肖特基紫外探测器,其特征在于,还包括欧姆接触金属窗口,其中,所述欧姆接触金属窗口依次贯穿所述第二ZnO材料层和所述第一ZnO材料层露出部分所述欧姆接触电极,或者,所述欧姆接触金属窗口贯穿所述衬底露出部分所述欧姆接触电极,或者,所述衬底为欧姆接触金属板,用于与所述欧姆接触电极电连接。
5.如权利要求4所述的肖特基紫外探测器,其特征在于,所述欧姆接触金属窗口设置在所述衬底的边角区域。
6.如权利要求1所述的肖特基紫外探测器,其特征在于,还包括:肖特基接触金属窗口,贯穿所述第二ZnO材料层露出部分所述肖特基接触金属,用于所述肖特基接触金属与外部电路的电连接。
7.如权利要求1所述的肖特基紫外探测器,其特征在于,相邻的所述凸起结构的侧壁上的所述第二ZnO材料层之间存在间隙或相互接触。
8.一种肖特基紫外探测器的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供衬底,在所述衬底表面形成有欧姆接触电极;
形成第一ZnO材料层,覆盖所述衬底及所述欧姆接触电极;
在所述第一ZnO材料层表面上形成肖特基接触金属,其中,所述肖特基接触金属包括底部肖特基接触金属,以及形成在所述底部肖特基接触金属上的若干个凸起结构;其中,所述底部肖特基接触金属覆盖部分所述第一ZnO材料层;
在所述底部肖特基接触金属的表面以及所述凸起结构的表面上形成第二ZnO材料层,且形成的所述第二ZnO材料层与所述第一ZnO材料层在边缘处相接触。
9.如权利要求8所述的制造方法,其特征在于,形成所述肖特基接触金属的步骤包括:
在所述第一ZnO材料层表面上形成肖特基接触金属材料层;
在所述肖特基接触金属材料层上形成图案化的掩膜层,所述图案化的掩膜层定义有预定形成的所述凸起结构的图案;
以所述图案化的掩膜层为掩膜,蚀刻部分所述肖特基接触金属材料层停止在所述肖特基接触金属材料层内,以形成所述凸起结构,其中,所述凸起结构下方的所述肖特基接触金属材料层作为所述底部肖特基接触金属;
去除所述图案化的掩膜层。
10.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,在形成所述肖特基接触金属材料层之后,形成所述图案化的掩膜之前,或者,去除所述图案化的掩膜层之后,形成所述第二ZnO材料层之前,还包括:
刻蚀去除所述肖特基金属材料层的部分边缘,以露出部分所述第一ZnO材料层。
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