[发明专利]新型氧化物薄膜晶体管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种新型氧化物薄膜晶体管器件，其特征在于：由下往上依次包括基层、栅极、绝缘层、氧化物层、氧化钼层、电偶极子层、源极和漏极；所述氧化钼层包括左氧化钼层和右氧化钼层且间隔覆盖于氧化层上表面横向左、右侧，所述源极和漏极分别覆盖于左氧化钼层和右氧化钼层且电偶极子层覆盖于氧化物层上表面上位于左氧化钼层和右氧化钼层之间处。

2.根据权利要求1所述的新型氧化物薄膜晶体管器件，其特征在于：所述电偶极子层通过甲醇溶剂旋涂制得。

3.根据权利要求2所述的新型氧化物薄膜晶体管器件，其特征在于：所述电偶极子层的厚度为5-10nm。

4.根据权利要求1所述的新型氧化物薄膜晶体管器件，其特征在于：所述氧化钼层的厚度为2-4nm。

5.根据权利要求4所述的新型氧化物薄膜晶体管器件，其特征在于：所述氧化钼层通过蒸镀制得。

6.一种制备如权利要求1-5任一权利要求所述的新型氧化物薄膜晶体管器件的方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)在玻璃基板上通过溅射的方法制备一层厚度为100～500nm的栅极材料的薄膜，通过掩膜或光刻的方法图形化，得到栅极；

(2)所述绝缘层用阳极氧化或化学气相沉积法制备，厚度为100～1000nm，通过掩膜或光刻的方法图形化；若所述的栅极材料为铝或铝合金，则所述的绝缘层通过阳极氧化的方法制备；若所述的栅极材料为除铝和铝合金以外的其它金属或金属氧化物导电材料，则所述的绝缘层通过化学气相沉积的方法制备；

(3)在绝缘层上面通过溅射的方法制备所述的氧化物层，厚度30～50nm，通过热蒸度的方法制备氧化钼层，厚度为2-4nm，通过掩膜或光刻的方法图形化；

(4)在所述的氧化钼层上面采用真空蒸镀或溅射的方法制备所述的源极和漏极，厚度为100～1000nm，采用掩膜或光刻的方法图形化；

(5)在所述的氧化物薄膜晶体管上面通过旋涂甲醇制得所述电偶极子层，转速2000r/min,厚度小于10nm。