[发明专利]用于过程监控和反馈控制的纳米结构有效

专利信息
申请号: 201810356994.9 申请日: 2018-04-19
公开(公告)号: CN108724694B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 莫尔塔扎·萨法伊;加里·E·乔治森 申请(专利权)人: 波音公司
主分类号: B29C64/106 分类号: B29C64/106;B29C64/393;B33Y50/02;B33Y70/10;B82Y30/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 张英;沈敬亭
地址: 美国伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 过程 监控 反馈 控制 纳米 结构
【权利要求书】:

1.一种用于增材制造过程的过程监控和反馈控制的方法,包括:

形成包括分布于其中的多个纳米结构的材料的层,其中每个所述纳米结构包括量子点和包封所述量子点的壳,其中所述壳配置为响应于激发信号而发射第一波长,其中所述量子点配置为响应于所述激发信号而发射第二波长,并且其中所述材料的层是基于增材制造过程形成的物体的一部分;

对所述材料的层执行制造操作,所述制造操作包括加热所述材料的层;

将所述激发信号施加到所述材料的层的至少一部分上;

检测来自所述材料的层的所述部分的发射信号,其中所述发射信号由所述多个纳米结构的至少一个子集响应于所述激发信号而提供;

基于至少所述发射信号的波长来确定所述材料的层是否已经达到温度,所述温度已经达到所述壳的熔点,而尚未达到所述量子点的熔点;以及

如果基于至少所述发射信号的波长确定未达到所述温度,则中断所述增材制造过程。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述确定进一步基于所述发射信号的强度。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述壳包含掺杂有至少一种金属材料的至少一种半导体材料。

4.根据权利要求1所述的方法,其中:

所述第一波长基于与所述部分中的纳米结构的壳相关联的第一带隙;并且

所述第二波长基于与所述部分中的纳米结构的量子点相关联的第二带隙。

5.根据权利要求1所述的方法,

其中所述制造操作导致所述部分中的纳米结构的至少一个壳被移除,并且

其中所述至少一个壳的移除导致所述发射信号的波长包括所述第二波长。

6.根据权利要求5所述的方法,其中当所述加热导致所述材料的层达到所述温度时,移除所述至少一个壳。

7.根据权利要求5所述的方法,其中,所述制造操作进一步包括向所述材料的层施加压力,其中当在所述材料的层处达到所述压力时,移除所述至少一个壳。

8.根据权利要求5所述的方法,其中,所述制造操作进一步包括固化操作,其中所述材料的层保持在规定的温度和规定的压力下,并且其中在所述材料的层保持在所述规定的温度和所述规定的压力下至少最短量的时间之后,移除所述至少一个壳。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述材料的层包括第一层,所述方法进一步包括:

在所述确定之后在所述第一层的材料上形成第二层的材料;和

对于所述第二层重复所述施加、所述检测和所述确定。

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