[发明专利]一种疏水DLC涂层的制备方法有效
| 申请号： | 201810358030.8 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108677142B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 廖斌;欧阳晓平;张丰收;张旭;吴先映 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/02;C23C14/32;B01D35/06 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 李冬梅;苗源 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 疏水 沉积 制备 磁过滤 团聚 阴极 血液 高频手术刀 气体离子源 凹凸结构 关键问题 基体表面 纳米颗粒 疏水性能 结合力 碳纳米 不粘 耐磨 碳靶 团簇 清洗 湿润 视线 生产 医生 | ||
1.一种疏水DLC涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1S：利用气体离子源对基体表面进行高低能交替清洗；
2S：以碳靶为阴极，利用磁过滤沉积方法在所述基体上进行疏水DLC涂层的沉积；
使所述碳靶产生的碳离子依次穿过第一强脉冲线包、抑制线包和磁过滤弯管；
设置所述第一强脉冲线包的频率为0.1～200Hz，电流为0.1～50A；
设置所述抑制线包的频率为0.1～200Hz，电流为0.1～10A；
所述磁过滤弯管上依次设置有第二强脉冲线包、中间线包、第三强脉冲线包、高功率脉冲网格和高脉冲聚焦线包；
设置所述第二强脉冲线包的频率为20～80Hz，电流为0.1～20A；
所述中间线包为直流线包，设置其电流设置为0.1～5A；
设置所述第三强脉冲线包的频率为20～80Hz，电流为0.1～20A；
设置所述高脉冲聚焦线包的频率为30～300Hz，电流为30～200A；
设置所述高功率脉冲网格的电压为-10～-100V，频率为1～20Hz。
2.如权利要求1所述的疏水DLC涂层的制备方法，其特征在于，在所述步骤2S中，在进行所述沉积时，对所述基体施加高功率脉冲偏压复合直流偏压；
设置所述高功率脉冲偏压的电压为1～15kV，脉冲宽度为1～5ms，脉冲频率为1～200Hz，占空比1/10000～1/5000，峰值功率为1～5MW；
设置所述直流偏压的电压为1～1000V，占空比1～80％。
3.如权利要求1所述的疏水DLC涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤2S中，在进行所述沉积时，设置起弧电流为50～100A，真空度小于2×10-3Pa，沉积时间1～60min。
4.如权利要求1所述的疏水DLC涂层的制备方法，其特征在于，对所述磁过滤弯管施加脉冲式正偏压，所述脉冲式正偏压频率为20～100Hz，电压为10～30V。
5.如权利要求1所述的疏水DLC涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤1S中，所述气体离子源为考夫曼离子源，所述考夫曼离子源能量为1～3000eV，束流强度1～500mA。
6.一种利用如权利要求1～5任一项所述的疏水DLC涂层的制备方法在基体表面沉积的疏水DLC涂层。
7.如权利要求6所述的疏水DLC涂层，其特征在于，所述疏水DLC涂层为sp3键含量高于50％的类荷叶的纳米自组织凹凸结构，其厚度为0.001～5微米。
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