[发明专利]阵列基板的喷墨打印方法、阵列基板、显示装置有效
申请号: | 201810359626.X | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN108520891B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 于东慧;闫光;胡春静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 喷墨 打印 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的喷墨打印方法,其中,所述阵列基板包括n种子像素,喷墨打印所述n种子像素所需的溶液的溶剂量不同,n为大于或等于2的正整数,所述方法包括:
将喷墨打印第i种子像素所需的溶剂体积记作Vi,其中,i为小于或等于n的正整数;
针对每种子像素计算Xi值,其中,Xi=Vi/V1,V1为喷墨打印第一种子像素所需的溶剂体积;
将所述n种子像素的Xi值取最大公约数并且记为G;
将所述第i种子像素分为面积相等的Xi/G个子单元,且对所述第i种子像素的每个子单元以V1*G的溶剂量进行喷墨打印以形成膜层;
其中,当Xi/G的数值大于或等于2时,所述第i种子像素的相邻两个子单元彼此分离。
2.如权利要求1所述的方法,其中,进行喷墨打印以形成膜层包括:
将包括V1*G的溶剂的溶液分别喷墨打印至所述第i种子像素的每个子单元内;
对所述n种子像素的溶液同时干燥以形成所述膜层。
3.如权利要求2所述的方法,其中,所述膜层包括发光层、电子传输层、电子注入层、空穴传输层和空穴注入层中的至少之一。
4.如权利要求1所述的方法,还包括:在进行喷墨打印之前,在Xi/G的数值大于或等于2的所述第i种子像素内设置单元限定层以限定所述Xi/G个子单元。
5.如权利要求4所述的方法,其中,当Xi/G的数值大于或等于2时,所述第i种子像素的相邻两个子单元之间的间距不大于所述n种子像素中的相邻两个子像素之间的间距。
6.如权利要求4所述的方法,还包括,当Xi/G的数值大于或等于2时,在所述第i种子像素的相邻两个子单元之间的所述单元限定层中形成连接所述相邻两个子单元之间的通道,其中,
在与所述相邻两个子单元排列的方向垂直的方向上,所述通道的尺寸小于所述子单元的尺寸。
7.如权利要求1所述的方法,其中,计算所述Xi值包括:当所述Xi值的小数点后面的位数大于或等于2时,通过四舍五入方法使所述Xi值保留一位小数。
8.如权利要求1所述的方法,其中,将所述第i种子像素的所述膜层的面积记作Si,所述n种子像素中的至少两种子像素的所述膜层的面积不同,且所述至少两种子像素的用于形成所述膜层的溶剂体积Vi与面积Si正相关。
9.如权利要求1所述的方法,其中,n等于3且所述n种子像素分别是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
10.如权利要求1所述的方法,其中,Vi=Ci*(1-Bi),
Ci为喷墨打印所述第i种子像素所需的溶液体积,Bi为喷墨打印所述第i种子像素所用的溶液的体积浓度。
11.一种阵列基板,包括阵列排布的n个子像素,n为大于或等于2的正整数,每个子像素包括有机发光元件,其中,
所述n个子像素中的至少一个子像素的有机发光元件中的至少一个膜层包括彼此分离的多个子部分;
其中,在相邻的两个子部分之间还设置有连接部,在与所述相邻两个子部分排列的方向垂直的方向上,所述连接部的尺寸小于所述子部分的尺寸。
12.如权利要求11所述的阵列基板,其中,所述多个子部分通过单元限定层分隔。
13.如权利要求11所述的阵列基板,其中,在同一个子像素中,所述多个子部分的面积相等。
14.如权利要求11所述的阵列基板,其中,所述多个子部分之间的间距不大于所述n个子像素中的相邻两个子像素之间的间距。
15.如权利要求11-14任一所述的阵列基板,其中,每个子像素还包括像素电极,所述像素电极为连续的电极层。
16.一种显示装置,包括如权利要求11-15任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的