[发明专利]单晶硅锭及其制造方法以及单晶硅晶片在审
| 申请号： | 201810360583.7 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN110387578A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 原田和浩;降屋久 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅锭 单晶硅晶片 点缺陷 凝集体 电气特性 金属元素 空位 间隙硅 铁污染 铁元素 污染度 制造 培育 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅锭，其不存在空位型点缺陷的凝集体及间隙硅型点缺陷的凝集体，并且通过切克劳斯基法培育，所述单晶硅锭的特征在于，
铁污染浓度为2×109atoms/cm3以下。
2.一种硅晶片，其由权利要求1所述的单晶硅锭制成。
3.一种制造不存在空位型点缺陷的凝集体及间隙硅型点缺陷的凝集体的单晶硅锭的方法，其特征在于，包括：
将成为原料的块状或粒状的硅进行熔解并从该硅熔液通过切克劳斯基法以0.9以下的固化率培育单晶硅锭的工序；
将所述培育的单晶硅锭制成块状或粒状的工序；
清洗所述块状或粒状的单晶硅的工序；及
将所述清洗的单晶硅再次熔解，并从该硅熔液通过切克劳斯基法以0.9以下的固化率培育单晶硅锭的单晶硅的再提拉工序，
所述再提拉工序为如下工序：在将锭的提拉速度设为V（mm/分钟），将在热场结构中锭-硅熔液的接触面的温度梯度设为G（℃/mm）时，控制V/G（mm2/分钟·℃）来培育不存在空位型点缺陷的凝集体及间隙硅型点缺陷的凝集体的单晶硅锭，
通过所述再提拉工序而培育的单晶硅锭的铁污染浓度为2×109atoms/cm3以下，
其中，固化率是指以重量换算计，培育的单晶硅相对于原料硅100%的比例。
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