[发明专利]具有改进几何形状的堆叠连接板的功率半导体装置

权利要求书

1.一种功率半导体装置(1)，具有多个并联连接的、布置成一排的、相似的功率半导体开关元件(2a、2b、2c、2d)，其中每个功率半导体开关元件(2a、2b、2c、2d)具有用于负载电流输入的负载电流接头(3a)和用于负载电流输出的负载电流接头(3b)，并且负载电流输入和负载电流输出的相同负载电流方向的负载电流接头分别布置在一个共同的假想线(L)上，其中所述功率半导体装置(1)分别还在每个负载电流方向上具有连接板(4a、4b)，以分别用于负载电流输入和负载电流输出的相同负载电流方向的所有负载电流接头(3a、3b)的共同电接触和固定，其中所述连接板(4a、4b)相互电绝缘，彼此间隔开并且在堆叠方向(R)上堆叠地布置，并且每个连接板(4a、4b)分别从馈电边缘(EK)延伸超过相对应的负载电流接头(3a、3b)并且与所述负载电流接头接触地沿着第一延伸方向延伸到与所述馈电边缘对置的端部边缘(FK)以便所述电接触，并且沿着正交于所述第一延伸方向且平行于所述假想线(L)的第二延伸方向在两个纵向边缘(LK)之间延伸，其中

借助于在相同负载电流方向的相邻负载电流接头(3a、3b)之间延伸的狭槽(S)，所述连接板(4a、4b)中的至少一个连接板被多次开槽，使得所述连接板(4a、4b)分别形成由所述狭槽(S)限定的分别对应于一个负载电流接头(3a、3b)的区段(SC1、SC2、SC3、SC4)，并且相邻的区段(SC1、SC2、SC3、SC4)仅在馈电侧导电地连接；和/或

所述连接板(4a、4b)中的至少一个连接板沿着所述纵向边缘(LK)朝另一连接板的方向通过构造角部(5b)而弯边。

2.根据权利要求1所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)从所述端部边缘(FK)开始朝所述馈电边缘(EK)的方向延伸到由所述连接板(4a、4b)形成的用于使所述区段导电连接的连接片(10)。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)分别相互平行且分别沿着在负载电流方向相反的紧邻的负载电流接头(3a、3b)之间的几何中心线延伸。

4.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述负载电流接头(3a、3b)分别布置成离相应的所述端部边缘(FK)比离所述馈电边缘(EK)更临近。

5.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述连接板(4a、4b)具有平行延伸的狭槽(S)。

6.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中各个相应的所述连接板(4a、4b)的区段(SC1、SC2、SC3、SC4)全等地构造。

7.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)沿其走向具有小于5mm的最大净宽间距。

8.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)具有大于2.5cm直至10.0cm的长度。

9.根据权利要求2所述的功率半导体装置(1)，其中所述连接片(10)具有小于1.5cm的宽度。

10.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述狭槽(S)限定相应的狭槽边缘，并且所述连接板中的至少一个连接板沿着所述狭槽边缘朝另一连接板通过构造角部而弯边。

11.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述连接板(4a、4b)分别由激光切割的或冲压的金属板制造。

12.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置(1)，其中所述连接板(4a、4b)中的至少一个连接板具有多个通孔(6a、6b)，所述多个通孔分别设置用于引线和/或通向所述负载电流接头(3a、3b)的其中一个负载电流接头，并且其中所述通孔(6a、6b)分别限定封闭环绕的通孔边缘。