[发明专利]一种基于DMPPP的荧光染料掺杂的深蓝色OLEDs的检测方法在审
申请号: | 201810365244.8 | 申请日: | 2018-04-23 |
公开(公告)号: | CN108550533A | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 张刚;赵丽娜;董贺;黄涛;姜文龙;柴源;高永慧 | 申请(专利权)人: | 吉林师范大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L51/56 |
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地址: | 136000 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光染料 掺杂层 掺杂的 光器件 深蓝色 产品制作 器件制作 实验检测 检测 标注 | ||
本发明公开了一种基于DMPPP的荧光染料掺杂的深蓝色OLEDs的检测方法,主要包括器件制作以及器件实验,本发明可以有效的对掺杂层厚度对深蓝光器件性能的影响以及掺杂层浓度对深蓝光器件性能的影响进行实验检测,所获取的信息准确,有效的提供了产品制作标注,间接的提高了产品的性能。
技术领域
本发明涉及显示屏的检测制备领域,尤其是涉及一种基于DMPPP的荧光染料掺杂的深蓝色OLEDs的检测方法。
背景技术
在过去的三十多年中,许多研究人员在OLED的彩色化、宽视角、柔性显示等方面已经取得了显著的进展[1-9]。在这些研究中,绿光和红光.器件已基本成熟,能满足产业化的需求。而蓝光器件的研究还比较落后,特别是深蓝光器件。在显示和照明的应用中,深蓝光的性能对整个器件的效率和色纯度都起到一个非常关键的作用。在全彩显示当中,深蓝光器件可以降低显示器的功耗,还可以应用在色转换技术上。研究表明,当器件CIEx,y中的色坐标 y值小于0.15时,可以更有效的节省功率损耗。所以,深蓝光器件的制备以及性能的改善对 OLED的发展以及产业化的应用都具有很大意义。目前,世界上很多学者都在研究深蓝光OLEDs 器件。
我们已经制备出了以DMPPP为发光层的色度非常好的非掺杂结构的深蓝色OLEDs。虽然器件的色度非常接近NTSC的深蓝光标准,但是器件的效率和亮度等性能不太理想。要想提高器件的效率,除了开发性能更好的材料之外,还可以改变器件的结构。采用掺杂型的器件结构,利用主客体之间的能量转移,可以有效的提高OLEDs器件的效率和亮度等性能。所以,我们制备了以DMPPP为主体、BCzVBi为客体的掺杂型深蓝色OLEDs。通过调节掺杂的质量分数和掺杂层的厚度,有效的提高了器件的亮度和效率。
发明内容
本发明旨在提供一种基于DMPPP的荧光染料掺杂的深蓝色OLEDs的检测方法。
一种基于DMPPP的荧光染料掺杂的深蓝色OLEDs的检测方法,具体包括以下实验:
a、实验器件制备
采用器件的结构为:ITO/m-MTDATA(20nm)NPB(10nm)/DMPPP:BCzVBi(5nm,xwt.%)/Bphen(30nm)/Cs2 CO3:Ag2O(20wt.%,1nm)/Al(100nm);
空穴注入层为m-MTDATA,空穴传输层为NPB,DMPPP:BCzVBi为深蓝光层,Bphen电子传输层和空穴阻挡层,电子注入层为Cs2CO3:Ag2O,Al为阴极;
实验中将ITO玻璃衬底用清洁剂、丙酮、乙醇、去离子水反复擦洗、超声,然后放到恒温箱中干燥;
器件的制备在多源有机分子气相沉积系统中进行,将所用材料分别放在不同的蒸发源(石英坩埚)中,每个蒸发源的温度进行单独控制,按设计的结构生长不同的有机材料层,在有机物生长的过程中系统的真空度维持在2.5×10-4Pa左右,蒸发速度控制在0.1~0.2 nm/s,对于金属其真空度维持在3×10-3Pa左右;
b、实验器件性能检测
器件的电致发光谱、亮度、色度以及电流、电压特性采用由美国生产的PR655光度计和 Keithley-2400电流-电压源组成的测试系统进行同步测量;有机膜的厚度是由上海产的 FTM-V型石英晶体膜厚仪来监测的。
作为本发明进一步的方案:实验器件性能检测中的所有测试都是在室温大气环境中进行的。
本发明的有益效果:本发明可以有效的对掺杂层厚度对深蓝光器件性能的影响以及掺杂层浓度对深蓝光器件性能的影响进行实验检测,所获取的信息准确,有效的提供了产品制作标注,间接的提高了产品的性能。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造