[发明专利]半导体基板的清洗干燥方法

权利要求书

1.一种半导体基板的清洗干燥方法，该方法为清洗形成有图案的半导体基板并使其干燥的方法，其特征在于，包括：

(I)工序：用清洗液清洗所述形成有图案的半导体基板；

(II)工序：使用包含含有具有下述通式(1)所示的缩醛结构的重复单元的树脂(A)及溶剂的组合物来置换所述半导体基板上残留的所述清洗液，并以小于所述树脂(A)的分解温度的温度加热去除该已置换的组合物中的溶剂；以及

(III)工序：通过将所述形成有图案的半导体基板保持在0℃以上且小于所述树脂(A)的分解温度的温度，并同时对所述树脂(A)吹气温度为所述树脂(A)的分解温度以上的气体，从与所述气体接触的表面侧分解去除所述树脂(A)，

[化学式1]

式中，R¹为氢原子、或为可被取代的碳原子数为1～30的饱和或不饱和的一价有机基团；W是碳原子数为2～30的饱和或不饱和的二价有机基团。

2.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗干燥方法，其特征在于，所述树脂(A)为下述通式(1a)～(1c)中的任一者所示的化合物，

[化学式2]

式中，R^1a是碳原子数为1～4的烷基或碳原子数为2～4的链烯基；W^a是碳原子数为4～10的饱和或不饱和的二价烃基，且可具有醚键；R^b1各自独立地为-W^a-OH、或为可被取代的碳原子数为1～30的饱和或不饱和的一价有机基团；R^1c为氢原子、或为可被取代的碳原子数为6～20的芳基或碳原子数为4～20的杂芳基；R^c1各自独立地是碳原子数为1～4的烷基或-W^a-OH；n表示平均重复单元数，并为3～2,000。

3.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗干燥方法，其特征在于，所述图案的高宽比为20比1以上。

4.根据权利要求2所述的半导体基板的清洗干燥方法，其特征在于，所述图案的高宽比为20比1以上。

5.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗干燥方法，其特征在于，所述清洗液为含有水、水溶性醇、氟化合物中的任意一种以上的液体。

6.根据权利要求2所述的半导体基板的清洗干燥方法，其特征在于，所述清洗液为含有水、水溶性醇、氟化合物中的任意一种以上的液体。

7.根据权利要求3所述的半导体基板的清洗干燥方法，其特征在于，所述清洗液为含有水、水溶性醇、氟化合物中的任意一种以上的液体。

8.根据权利要求4所述的半导体基板的清洗干燥方法，其特征在于，所述清洗液为含有水、水溶性醇、氟化合物中的任意一种以上的液体。

9.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗干燥方法，其特征在于，在所述(III)工序中，将所述形成有图案的半导体基板的温度保持在0℃以上100℃以下。

10.根据权利要求2所述的半导体基板的清洗干燥方法，其特征在于，在所述(III)工序中，将所述形成有图案的半导体基板的温度保持在0℃以上100℃以下。

11.根据权利要求3所述的半导体基板的清洗干燥方法，其特征在于，在所述(III)工序中，将所述形成有图案的半导体基板的温度保持在0℃以上100℃以下。

12.根据权利要求4所述的半导体基板的清洗干燥方法，其特征在于，在所述(III)工序中，将所述形成有图案的半导体基板的温度保持在0℃以上100℃以下。

13.根据权利要求5所述的半导体基板的清洗干燥方法，其特征在于，在所述(III)工序中，将所述形成有图案的半导体基板的温度保持在0℃以上100℃以下。