[发明专利]一种铁氧体上微带电路制作方法

权利要求书

1.一种铁氧体上微带电路制作方法，其步骤为：a.贴附掩膜：先把 磁性掩膜自然铺展在光洁平整的硅片上，或者把磁性掩膜嵌入和掩膜图形对应的硅片凹槽里，然后用电磁铁从硅片背面把磁性掩膜吸住，然后再把软磁性的铁氧体基片覆盖在磁性掩膜上，最后把电磁铁断电去掉对磁性掩膜的吸力将磁性掩膜无变形的吸附在铁氧体基片上，该磁性掩膜包括硅胶或橡胶或聚酰亚胺基质、以及分散在该基质中的具有硬磁性的纳米/微米级磁性粒子；磁性粒子在磁性掩膜中的体积分数为10％～80％，磁性掩膜的膜厚度为20μm到200μm之间；所述磁性掩膜由磁性粒子分散于硅胶或橡胶或聚酰亚胺预聚体，通过模具成型或丝网印刷成型，然后固化，最后通过充磁机充磁；

b.溅射金属：在溅射设备中溅射铁氧体基片上微带电路所需的金属膜层；

c.揭掉掩膜：将电磁铁置于铁氧体基片背面，调节电磁铁的电流方向，使电磁铁与所述磁性掩膜之间产生排斥力，通过电流大小调节排斥力的大小，使磁性掩膜从铁氧体基片上无损的揭下来，铁氧体基片上留下微带电路金属图形。

2.如权利要求1所述的一种铁氧体上微带电路制作方法，其特征在于：所述铁氧体基片为尖晶石铁氧体或石榴石铁氧体或磁铅石铁氧体基片；铁氧体基片表面粗糙度小于300nm。

3.如权利要求1所述的一种铁氧体上微带电路制作方法，其特征在于：所述磁性粒子为钐钴磁粉或钡铁氧体磁粉或锶铁氧体磁粉。

4.如权利要求3所述的一种铁氧体上微带电路制作方法，其特征在于：所述磁性粒子占磁性掩膜中的体积分数为30％～60％；膜厚为30μm到120μm之间。

5.如权利要求4所述的一种铁氧体上微带电路制作方法，其特征在于：所述铁氧体基片表面粗糙度小于100nm。