[发明专利]OLED器件及其制造方法、OLED显示器在审
申请号: | 201810367806.2 | 申请日: | 2018-04-23 |
公开(公告)号: | CN108550711A | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 范英春;张晓星 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光单元 像素界定层 发光区 隔离层 基板 界定 申请 制造 阻挡 | ||
1.一种OLED器件,其特征在于,所述OLED器件包括基板及位于所述基板上的像素界定层、隔离层和有机发光单元,所述像素界定层用于界定发光区,所述有机发光单元位于所述发光区,所述隔离层位于所述像素界定层和所述有机发光单元之间。
2.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述隔离层全部覆盖所述像素界定层,或者仅覆盖所述像素界定层的邻近所述有机发光单元的部分。
3.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述隔离层的制造材质为透明绝缘材料。
4.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述基板包括衬底基材以及位于所述衬底基材上的TFT层和平坦层,所述像素界定层、隔离层和有机发光单元均位于所述平坦层上,所述平坦层开设有暴露所述TFT层的漏极的过孔,所述有机发光单元的阳极填充所述过孔并与所述漏极接触。
5.一种OLED显示器,其特征在于,所述OLED显示器包括上述权利要求1~4任一项所述的OLED器件。
6.一种OLED器件的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供基板;
在所述基板上形成有机发光单元的阳极;
在所述基板上形成像素界定层;
在所述像素界定层上形成隔离层;
在所述像素界定层限定的发光区形成有机发光单元的其余层结构,包括发光层和阴极,所述隔离层位于所述像素界定层和所述有机发光单元之间。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,采用包括光阻涂布、曝光、显影及刻蚀制程的图案化工艺形成所述隔离层,或者,采用基于掩膜板的蒸镀工艺在所述像素界定层上沉积形成所述隔离层。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述隔离层全部覆盖所述像素界定层,或者仅覆盖所述像素界定层的邻近所述有机发光单元的部分。
9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,采用透明绝缘材料形成所述隔离层。
10.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述基板包括衬底基材以及位于所述衬底基材上的TFT层和平坦层,所述像素界定层、隔离层和有机发光单元均位于所述平坦层上,所述平坦层开设有暴露所述TFT层的漏极的过孔,所述有机发光单元的阳极填充所述过孔并与所述漏极接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择