[发明专利]优选相变存储器写操作电流的系统及方法有效
| 申请号： | 201810368154.4 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108597558B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 吴磊;陈一峰;蔡道林;卢瑶瑶;刘源广;闫帅;李阳;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;G06F30/33 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 优选 相变 存储器 操作 电流 系统 方法 | ||
1.一种获取 相变存储器最优 写操作电流的方法，其特征在于，所述方法包括：
设定所述相变存储器的最小写操作电流、最大写操作电流及写操作电流变化步长，并从所述相变存储器中选取若干待操作单元；
基于所述写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使所述写操作电流由所述最小写操作电流依次增大至所述最大写操作电流；在每次获取所述写操作电流后，基于所述写操作电流对所述待操作单元进行写操作，并在写操作结束后，对所述待操作单元进行电学测试，获取与所述写操作电流对应的电阻数据及V-I特性曲线；其中，每次对所述待操作单元进行写操作之前，还包括基于相同预设擦参数对所述待操作单元进行擦操作；
对不同所述写操作电流对应的电阻数据进行统计分析，筛选出使所述待操作单元成功进行写操作的真写操作电流；并对所述真写操作电流对应的V-I特性曲线进行拟合，获取所述真写操作电流对应的亚阈值斜率；以及
对获取的所述亚阈值斜率进行统计分析，获取所述相变存储器的最优写操作电流。
2.根据权利要求1所述的获取 相变存储器最优 写操作电流的方法，其特征在于，根据所述相变存储器的最小初始写操作电流及最大初始写操作电流设置所述最小写操作电流及最大写操作电流，其中，所述最小写操作电流小于所述最小初始写操作电流，所述最大写操作电流大于所述最大初始写操作电流。
3.根据权利要求1所述的获取 相变存储器最优 写操作电流的方法，其特征在于，获取V-I特性曲线的方法包括：设定扫描电压，并基于所述扫描电压对所述待操作单元进行V-I扫描测试，以获取V-I特性曲线；其中，所述扫描电压小于所述相变存储器发生相变的阈值电压。
4.根据权利要求1所述的获取 相变存储器最优 写操作电流的方法，其特征在于，筛选所述真写操作电流的方法包括：对不同所述写操作电流对应的电阻数据进行统计，并基于参考电阻对各电阻数据进行筛选，以将大于所述参考电阻的电阻数据所对应的写操作电流作为所述真写操作电流。
5.根据权利要求1所述的获取 相变存储器最优 写操作电流的方法，其特征在于，获取所述亚阈值斜率的方法包括：对所述V-I特性曲线中的电流值进行取log操作，以获取所述真写操作电流对应的亚阈值斜率。
6.根据权利要求1所述的获取 相变存储器最优 写操作电流的方法，其特征在于，获取所述相变存储器的最优写操作电流的方法包括：对所述亚阈值斜率进行统计分析，筛选出亚阈值斜率变化趋于饱和时所对应的真写操作电流，以作为所述相变存储器的最优写操作电流。
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