[发明专利]MOSFET过冲电压和下冲电压的测量结构和方法有效
| 申请号： | 201810368378.5 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108594103B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 袁明红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 蒋雅洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 电压 测量 结构 方法 | ||
1.一种MOSFET过冲电压/下冲电压的测量结构，其特征在于，包括：
位于衬底中的相邻的N阱和P阱，分别具有PMOS和NMOS；
设置在N阱中的第一阱区接触，用于连接第一电源电压；
设置在P阱中的第二阱区接触，用于连接第二电源电压；
在过冲电压测试期间，PMOS的源端或漏端之一用作输入端用于输入激励电流且同时用作输出端用于记录输出电压，PMOS的源端或漏端的另一个浮置，NMOS的源端或漏端连接第二电源电压；
在下冲电压测试期间，NMOS的源端或漏端之一用作输入端用于输入激励电流且同时用作输出端用于记录输出电压，NMOS的源端或漏端的另一个浮置，PMOS的源端或漏端连接第一电源电压。
2.如权利要求1所述的测量结构，其特征在于，第一阱区接触与PMOS的源端或漏端相邻。
3.如权利要求1所述的测量结构，其特征在于，第二阱区接触与NMOS的源端或漏端相邻。
4.如权利要求1所述的测量结构，其特征在于，所述第一阱区接触包括N型掺杂区，所述第二阱区接触包括P型掺杂区。
5.如权利要求4所述的测量结构，其特征在于，所述N型掺杂区为重型掺杂区。
6.如权利要求4所述的测量结构，其特征在于，所述P型掺杂区为重型掺杂区。
7.一种采用权利要求1至6任一项所述的MOSFET过冲电压/下冲电压的测量结构进行测量的方法，其特征在于，包括：
将所述第一阱区接触连接第一电源电压、第二阱区接触连接第二电源电压，将激励电流输入用作输入端的PMOS的源端或漏端，或者将激励电流输入用作输入端的NMOS的源端或漏端，判断是否发生闩锁；
如果是，则将PMOS的源端或漏端的输出电压与第一电源电压的差值记录为过冲电压，将NMOS的源端或漏端的输出电压与第二电源电压的差值记录为下冲电压；
如果否，则继续调节激励电流。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，调节输入激励电流的步骤进一步包括：
如果判断未发生闩锁，增大输入激励电流直至判断发生闩锁并记录输出电压。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，输入激励电流包括每秒1000～20000个尖峰波形；任选地，波形宽度为10～300ns。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810368378.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
