[发明专利]绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：

漂移区；

P阱区，所述P阱区设置在所述漂移区的一侧；

N⁺发射极，所述N⁺发射极设置在所述P阱区远离所述漂移区的一侧；

两个沟槽，每个所述沟槽开设在所述N⁺发射极、所述P阱区和所述漂移区内，且贯穿所述N⁺发射极和所述P阱区；

沟槽氧化层，所述沟槽氧化层设置在所述两个沟槽中，且覆盖每个所述沟槽的表面；

两个多晶硅栅极，每个所述多晶硅栅极填充在所述沟槽氧化层远离所述漂移区的一侧，并且，每个所述多晶硅栅极包括依次层叠设置的N型子栅极和P型子栅极；

其中，所述漂移区包括两个第一漂移区、多个第二漂移区和多个第三漂移区，所述第一漂移区与所述沟槽接触，所述多个第二漂移区与所述多个第三漂移区在所述两个第一漂移区之间相间分布，且形成所述第二漂移区的材料是对所述第一漂移区的材料通过低迁移率处理获得的，形成第三漂移区的材料与所述第一漂移区的材料相同，并且，所述低迁移率处理的方法为电子辐射；

而且，所述沟槽的宽度为1.5微米，所述第一漂移区的宽度为5微米，且所述第二漂移区和所述第三漂移区的宽度都为0.3微米。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，进一步包括：

绝缘层，所述绝缘层设置在所述多晶硅栅极远离所述漂移区的表面，且所述绝缘层在所述漂移区上的正投影覆盖所述多晶硅栅极在所述漂移区上的正投影；

P⁺集电极层，所述P⁺集电极层设置在所述漂移区远离所述P阱区的一侧。

3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，形成所述漂移区、所述P阱区、所述N⁺发射极和所述P⁺集电极层的材料包括选自Si和SiC中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述N型子栅极靠近所述P型子栅极的表面到所述沟槽的底壁的距离小于所述P阱区靠近所述漂移区的表面到所述沟槽的底壁的距离。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述N型子栅极的掺杂浓度大于1*10¹⁸/cm³，所述P型子栅极的掺杂浓度小于5*10¹⁷/cm³。