[发明专利]精细掩模板及其制备方法

权利要求书

1.一种用于制作OLED显示基板的精细掩模板，其特征在于，包括：

母板，所述母板包括多个呈阵列排布的掩模单元，所述掩模单元包括位于掩模单元中的第一开口区及所述第一开口区的边缘区域；

薄膜层，设于所述母板上，所述薄膜层的材质包括氮化硅、氧化硅以及氧化铝中的一种或多种，所述薄膜层包括多个与所述掩模单元一一正对的蒸镀有效区，各蒸镀有效区均包括多个呈阵列排布的第二开口区。

2.根据权利要求1所述的精细掩膜板，其特征在于，所述蒸镀有效区的第二开口区的特征尺寸与所述薄膜层的厚度相等。

3.根据权利要求1所述的精细掩膜板，其特征在于，所述母板的材质包括因瓦合金。

4.一种用于制作OLED显示基板的精细掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一母板，在所述母板上形成多个呈阵列排布的第一开口区，并以所述第一开口区及所述第一开口区的边缘区域构成掩模单元；

在所述母板上形成薄膜层，所述薄膜层的材质包括氮化硅、氧化硅以及氧化铝中的一种或多种，在所述薄膜层上形成多个与所述母板的所述掩模单元一一正对的蒸镀有效区；

在各所述蒸镀有效区均形成多个呈阵列排布的第二开口区。

5.根据权利要求4所述的精细掩膜板的制备方法，其特征在于，所述在所述母板上形成多个呈阵列排布的第一开口区包括：

对所述母板进行第一次刻蚀后形成多个呈阵列排布的半刻蚀区域和环绕所述半刻蚀区域的所述边缘区域，所述边缘区域的厚度大于所述半刻蚀区域的厚度；

对所述半刻蚀区域进行第二次刻蚀后形成所述第一开口区。

6.根据权利要求5所述的精细掩膜板的制备方法，其特征在于，形成第一开口区和第二开口区的步骤包括：

先对所述薄膜层进行刻蚀，以形成所述第二开口区；

再对所述半刻蚀区域进行刻蚀，以形成所述第一开口区。

7.根据权利要求5所述的精细掩膜板的制备方法，其特征在于，形成第一开口区和第二开口区的步骤包括：

先对所述半刻蚀区域进行刻蚀，以形成所述第一开口区；

再对所述薄膜层进行刻蚀，以形成所述第二开口区。

8.根据权利要求5所述的精细掩膜板的制备方法，其特征在于，所述在所述母板上形成薄膜层包括：

提供一衬底；

将所述薄膜层沉积到所述衬底上；

对所述薄膜层进行压印工艺处理以形成多个所述第二开口区；

将经过所述压印工艺处理的薄膜层转印至所述母板上。

9.根据权利要求8所述的精细掩膜板的制备方法，其特征在于，所述压印工艺包括纳米压印工艺。

10.根据权利要求5～9任一项所述的精细掩膜板的制备方法，其特征在于，所述母板的厚度为0.1mm～1mm，所述半刻蚀区域的厚度不大于0.1mm。

11.根据权利要求4～9任一项所述的精细掩膜板的制备方法，其特征在于，所述蒸镀有效区的第二开口区的特征尺寸与所述薄膜层的厚度相等。