[发明专利]一种脉冲电磁阀驱动电路及阀位记忆方法在审
申请号: | 201810369319.X | 申请日: | 2018-04-23 |
公开(公告)号: | CN108540125A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 刘双春;王志勇;魏肃;柴智;黄志强;刘全喜 | 申请(专利权)人: | 厦门芯阳科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094;F16K31/06 |
代理公司: | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人: | 李强 |
地址: | 361011 福建省厦门市湖里区中国(福建)*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 脉冲电磁阀 阀位 储能模块 驱动电路 电阻 单片机 电磁阀动作 机械结构 维持脉冲 状态记忆 传感器 掉电 存储 保证 | ||
1.一种脉冲电磁阀驱动电路,其特征在于:包括单片机U1、第一储能模块(10)、第二储能模块(20)、开关SW1、P型场效应管、N型场效应管、至少两个NPN三极管、若干第一电阻、至少两个第二电阻、至少两个第三电阻;
所述单片机U1依次通过所述开关SW1和第一储能模块(10)与第一电源正端耦接;所述开关SW1和第一储能模块(10)的连接节点与单片机U1的地端耦合;
所述P型场效应管源极与N型场效应管漏极连接;所述P型场效应管栅极一路与N型场效应管栅极均通过第一电阻耦合至第二电源正端和/或地端;所述第二电源正端还与P型场效应管漏极耦合;所述N型场效应管源极耦合至地端;
所述脉冲电磁阀的A侧和B侧分别连接有所述P型场效应管;所述脉冲电磁阀与所述P型场效应管的源极连接;所述P型场效应管栅极另一路均连接有NPN三极管;所述NPN三极管基极均依次通过第二电阻、第三电阻与所述N型场效应管栅极耦接;所述第二电阻与第三电阻的连接节点分别与单片机U1耦接;至少一个所述第一电阻与所述第二电源正端的连接节点与所述第二储能模块(20)连接。
2.根据权利要求1所述的脉冲电磁阀驱动电路,其特征在于:所述第一储能模块(10)包括电容E2;所述电容E2的阳极与所述单片机U1的第一电源正端连接;所述电容E2阴极与所述单片机U1的地端均接地。
3.根据权利要求1所述的脉冲电磁阀驱动电路,其特征在于:所述第二储能模块(20)包括电容E1和电容E3;所述电容E1阴极与电容E3阴极均接地;所述电容E1阳极与电容E3阳极均与至少一个所述第一电阻与所述第二电源正端的连接节点连接。
4.根据权利要求2所述的脉冲电磁阀驱动电路,其特征在于:所述电容E2的型号为470μF/16V。
5.根据权利要求3所述的脉冲电磁阀驱动电路,其特征在于:所述电容E1和电容E3的型号均为1000μF/35V。
6.一种脉冲电磁阀的阀位记忆方法,其特征在于:采用如权利要求1-5任一项所述的脉冲电磁阀驱动电路,所述阀位记忆方法具体步骤如下:
S10、首次启动脉冲电磁阀时,单片机U10输出控制信号到脉冲电磁阀驱动电路,使脉冲电磁阀的两端产生驱动电压;
S20、判断该驱动电压下脉冲电磁阀作用在产品上阀位的开、关状态;
S30、根据产品阀位的开、关阀位状态,确定按键SW1按下时间的长短;
S40、单片机U1通过识别按键SW1按下时间的长短,确定产品阀位的开、关状态分别对应的控制信号;
S50、当产品掉电或异常停止时,脉冲电磁阀从第二储能模块获取电压维持动作的完成;单片机U1从第一储能模块获取电压,并将产品最后的状态进行EEPROM记忆存储;
S60、非首次启动脉冲电磁阀时,单片机U1根据EEPROM记忆存储数据,自动判断当前产品的开、关状态。
7.根据权利要求6所述的脉冲电磁阀的阀位记忆方法,其特征在于:步骤S30中,阀位判断结果与按键按下时间的关系如下:
当阀位判断结果为开,则按键SW1按下的时间T1为3s-6s;
当阀位判断结果为关,则按键SW1按下的时间T2大于6s。
8.根据权利要求7所述的脉冲电磁阀的阀位记忆方法,其特征在于:所述步骤S40中,单片机U1识别按键SW1按下时间长短确定产品阀位的方法步骤如下:
当识别按键SW1按下时间为T1时,单片机U1确定产品阀位为开启状态;
当识别按键SW1按下时间为T2时,单片机U1确定产品阀位为关闭状态。
9.根据权利要求8所述的脉冲电磁阀的阀位记忆方法,其特征在于:所述步骤S50中,单片机U1通过将产品最后阀位的开、关状态写入固定地址内进行EEPROM记忆存储。
10.根据权利要求9所述的脉冲电磁阀的阀位记忆方法,其特征在于:单片机U1通过读取固定地址内的EEPROM记忆存储数据,自动判断当前产品阀位的开、关状态。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门芯阳科技股份有限公司,未经厦门芯阳科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810369319.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电平转换电路
- 下一篇:基于三维可写存储器的可编程门阵列