[发明专利]一种阻性类金刚石碳基薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种阻性类金刚石碳基薄膜材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：

1）高纯石墨靶材表面溅射清洗

将真空腔室内背底真空预抽至1×10^-5 Torr以下，开启脉冲直流电源，施加-500~-50 V梯度变化的偏压，并在高纯石墨靶材上设置3.0~4.0 A的电流，通入流量为15~25 sccm高纯氩气后保持气压为8×10^-3~8×10^-4 Torr，使电离出的高能氩离子对高纯石墨靶材表面进行溅射清洗20~40分钟；

2）待镀基材表面清洁和干燥处理

用无水乙醇对聚酰亚胺膜材表面进行擦拭清洁后放置于烘箱中，调至70-100 ℃后烘烤8-12小时；

3）待镀基材表面等离子体轰击活化和离子刻蚀

将清洁和烘干处理后的待镀基材固定在样品架上，置于磁控溅射真空腔室中，调整位置使待镀基材处于靶材的有效溅射区域内，将腔体真空预抽至2.5×10^-5 Torr以下，开启脉冲直流电源，在待镀基材上施加-300~-600V的偏压，通入流量为10~20 sccm的高纯氩气并保持气压为5×10^-3~5×10^-4 Torr，在样品架为5~10转/分钟的转速下进行等离子体轰击和刻蚀10~20分钟；

4）在基材表面制备阻性类金刚石碳基薄膜材料

保持工作气压为5×10^-3~5×10^-4 Torr，样品架转速为5~10转/分钟，调整基底偏压为-50~-30 V，靶电流为0.5~3.5 A，溅射沉积时间为10~150分钟，在基材表面制备阻性类金刚石碳基薄膜材料。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述待镀基材为目前微结构气体探测器广泛使用的电极，其材质为厚度50 μm-200 μm的绝缘聚酰亚胺膜。