[发明专利]一种含氮、硫的稠环化合物的制备方法及应用

权利要求书

1.一种如（图1-a）所示的含氮、硫的稠环化合物的半导体材料；

其中，Ar为烷基、烷氧基、芳基；

根据本发明优选的，

所述的烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基或十八烷基；

所述的烷氧基选自甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基或十八烷氧基；

所述的芳基选自苯基、萘基、噻吩、呋喃、卤代苯、甲苯基、乙基苯基、丙基苯基、丁基苯基、戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十一烷基苯基、十二烷基苯基、十三烷基苯基、十四烷基苯基、十五烷基苯基、十六烷基苯基、十七烷基苯基或十八烷基苯基。

2.根据权利要求1的器件，其中该化合物是低聚物。

3.根据权利要求1的器件，其中化合物是聚合物。

4.薄膜晶体管，其包含根据以上权利要求任一项的器件。

5.光学器件，其包含权利根据权利要求4的薄膜晶体管。

6.电致发光器件，其包含根据权利要求5的薄膜晶体管。

7.用于形成薄膜晶体管的溶液，该溶液包含溶质，该溶质包含如权利要求1所述的有机半导体化合物。

8.根据权利要求7的溶液，其包含溶剂，溶剂选自取代的苯。

9.根据权利要求8的溶液，其中该溶剂是被选自卤素和烷基的一个或多个取代基取代的苯。

10.用于形成晶体管的方法，该方法包括将根据权利要求7或权利要求8的溶液是施加于基片上。

11.根据权利要求10的方法，其中该溶液通过喷墨印刷进行施加。