[发明专利]一种抗衰减掺硼电池组件及其生产方法有效
申请号: | 201810373406.2 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN108565304B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 王建波;吕俊 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18;B32B38/00;B32B37/10;B32B37/08;B32B37/06 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 225314 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 衰减 电池 组件 及其 生产 方法 | ||
1.一种抗衰减掺硼电池组件的生产方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,将电池串、玻璃、EVA和背板按照光伏组件设计版型进行叠层,形成叠层结构;
步骤2,对叠层结构进行预层压,预层压时,将叠层结构加热到110-130摄氏度;
步骤3,再对进行完步骤2的叠层结构的电极施加正向偏压,施加时间为300-600s,电流大小为6-12A;
步骤4,再在130-150摄氏度下对进行完步骤3的叠层结构进行层压,层压过程中,对叠层结构的电极施加正向偏压,施加时间为300-600s,电流大小为6-12A;
步骤5,待步骤4层压结束后,将叠层结构降温至80-120摄氏度,再将叠层结构输出;
步骤6,再在80-120摄氏度下对进行完步骤5的叠层结构进行光照,光强为1kW/m2-30kW/m2,同时对叠层结构的电极施加正向偏压,施加时间为300-600s,电流大小为6-12A;
步骤7,待步骤6结束后,将叠层结构冷却至工艺要求温度,流出叠层结构并进入下一工序;
所述步骤4中,130-150摄氏度为正常层压工艺温度。
2.根据权利要求1所述的一种抗衰减掺硼电池组件的生产方法,其特征在于,叠层结构的预层压和层压均在层压机中进行。
3.根据权利要求2所述的一种抗衰减掺硼电池组件的生产方法,其特征在于,层压机上设置有恒流源输出探针,对叠层结构的电极施加正向偏压时,恒流源输出探针与叠层结构的电极接触。
4.根据权利要求2所述的一种抗衰减掺硼电池组件的生产方法,其特征在于,对叠层结构进行预层压前,层压机先抽真空,再对叠层结构加压,再进行升温,在层压机的第1腔体进行预层压,第1腔体中的加热温度为110-130摄氏度。
5.根据权利要求2所述的一种抗衰减掺硼电池组件的生产方法,其特征在于,层压机的第2腔体对叠层结构进行层压,使叠层结构进行层压交联过程,层压结束后,叠层结构完成层压交联过程并且层压机的第2腔体进行放气。
6.根据权利要求2所述的一种抗衰减掺硼电池组件的生产方法,其特征在于,层压机的第3腔体对层压结束后的叠层结构进行降温。
7.根据权利要求1所述的一种抗衰减掺硼电池组件的生产方法,其特征在于,采用LED灯对叠层结构进行光照。
8.一种抗衰减掺硼电池组件,其特征在于,抗衰减掺硼电池组件通过权利要求1-7任意一项所述的生产方法制得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的