[发明专利]一种闪存存储器及其编程验证系统和编程验证方法

说明书

本发明公开了一种闪存存储器及其编程验证系统和编程验证方法，在编程循环过程中，利用对编程页相应字线施加当前编程电压完毕后的编程等待恢复时间内，对上一次编程循环存储的验证结果进行统计计数，且根据统计计数情况进行判断处理等过程，进而能够省去现有技术中对编程页相应字线施加验证电压后的对验证结果进行统计计数和判断处理的时间，最终达到缩短整体编程验证时间，提高芯片性能的目的。

技术领域

本发明涉及闪存存储技术领域，更为具体的说，涉及一种闪存存储器及其编程验证系统和编程验证方法。

背景技术

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据，它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

闪存存储器的操作包括读取、擦除、擦除验证、编程、编程验证等操作，其中闪存存储器的编程和编程验证操作的基本单位是对一个页进行，如要编程该页相应字线上连接的所有存储单元，则需要对该字线上施加编程电压，结束后再次施加验证电压进行编程验证操作，最后对验证结果进行计数等操作，如果结果为编程不成功的数目超过了所能纠正错误，则再次施加电压值更高的编程电压，以及进行编程验证操作，和结果统计，并循环此过程直到编程操作成功。现有的闪存存储器在进行编程验证操作时，在对存储单元施加编程电压后，由于存储到存储单元的电子会在编程后一段时间内出现退化效应，此时如果立即对存储单元施加验证电压进行编程验证操作，则此时读出的阈值电压因为存储单元没有完全退化，会使得验证通过的存储单元比实际编程通过的存储单元数量多。因此，在对存储单元施加验证电压前需要等待一段时间进行恢复(即编程等待恢复时间)，进而使得编程时间变长，影响芯片的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种闪存存储器及其编程验证系统和编程验证方法，在编程循环过程中，利用对编程页相应字线施加当前编程电压完毕后的编程等待恢复时间内，对上一次编程循环存储的验证结果进行统计计数，且根据统计计数情况进行判断处理等过程，进而能够省去现有技术中对编程页相应字线施加验证电压后的对验证结果进行统计计数和判断处理的时间，最终达到缩短整体编程验证时间，提高芯片性能的目的。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种闪存存储器的编程验证方法，所述闪存存储器包括非易失性半导体存储单元阵列，所述非易失性半导体存储单元阵列包括多个页，且每一页包括多个存储单元，所述编程验证方法包括：

通过以下操作对所述多个页中选取的编程页执行第N次编程循环：将当前编程电压施加至所述编程页的相应字线进行编程；

在所述当前编程电压施加结束后，对第N-1次编程循环时存储的编程验证结果进行计数，以对所述编程页的存储单元的编程不成功个数进行统计；

判断所述编程页的存储单元的编程不成功个数是否在允许范围内，若是，则判定编程成功；若否，则判断所述第N次编程循环是否达到编程循环次数上限，若是，则判定编程失败；若否，则对所述编程页的相应字线施加验证电压进行编程验证感应操作，并在所述编程验证感应操作结束后在页缓存电路中存储每一存储单元在所述第N次循环编程后的编程验证结果；

将所述当前编程电压升高一定数值后，按照上述编程循环过程对所述编程页执行第N+1次编程循环，N为不小于2的整数。

可选的，所述编程验证结果以所述存储单元的在施加的所述验证电压下的导通电流值大于导通的存储单元的电流的最小值为编程不成功的条件。

可选的，所述判断所述编程页的存储单元的编程不成功个数是否在允许范围内，为：

判断所述编程页的存储单元的编程不成功个数是否在ECC机制所允许范围内。