[发明专利]少子寿命检测装置及检测方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，公开的一种少子寿命检测方法包括：获取体少子寿命数值；获取体分布特征参数；根据所述体少子寿命数值和所述体分布特征参数得到少子寿命密度和有效少子寿命。本申请在获取体少子寿命数值的同时，又获取了半导体层体分布特征参数，将体少子寿命数值和体分布特征参数结合得出少子寿命密度和有效少子寿命，该检测方法准确度高，有利于真实反映少子寿命以及对半导体层材料的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种少子寿命检测装置及检测方法。

背景技术

随着以微电子工业为代表的高科技产业的蓬勃发展，半导体材料的研究、开发和应用成为工业领域优先发展的重要方向。在半导体材料的研究工作中，少子(少数载流子)寿命的大小直接与半导体器件的性能有关，是半导体材料的重要参数之一。

现有测量少子寿命的方法大多是基于光电导衰减原理，包括光注入产生电子-空穴和微波探测信号的变化两个过程。具体测量原理为：激光注入半导体材料产生电子-空穴对，测试样品电导率增加；当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这种衰减趋势反映了少子的衰减趋势，通过观测电导率随时间变化的趋势可以测得少子的寿命。

然而，很多外界因素也会影响到少子的寿命，例如，被外界光照射的半导体层的体分布特征参数等。因此，根据电导率随时间的变化趋势测得的少子寿命的传统测试方法准确性较低，无法真实反应半导体材料的性能。

发明内容

为此，本发明所要解决的技术问题是提高少子寿命测量的准确性。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

本发明提供了一种少子寿命的检测方法，包括：

获取体少子寿命数值；

获取体分布特征参数；

根据所述体少子寿命数值和所述体分布特征参数计算得出少子寿命密度和有效少子寿命。

可选地，所述获取体少子寿命数值的步骤，具体包括以下步骤：

采用外界光源照射待测体表面；

通过观测待测体电导率随时间变化的趋势计算得出体少子寿命数值。

可选地，所述获取体分布特征参数的步骤，具体包括以下步骤：

采用偏振光源照射待测体表面；

测量得到反射光偏振态，计算得到待测体的体分布特征参数。

可选地，所述体分布特征参数包括待测体的厚度和待测区域的折射率。

可选地，还包括以下步骤：

根据所述待测体的厚度和待测区域的折射率通过公式(1)计算得出有效厚度：

h_有效＝(n₁/n₀)*h 公式(1)；

其中，h_有效为有效厚度，n₁为测得的待测区域的折射率，n₀为待测区域的理论折射率，h为待测体的厚度。

可选地，还包括以下步骤：

获取待测体的待测区域面积。

可选地，所述根据所述体少子寿命数值和所述体分布特征参数计算得出少子寿命密度和有效少子寿命的步骤，具体包括以下步骤：

通过公式(2)计算得出少子寿命密度：

少子寿命密度＝Peak/(A*h) 公式(2)；