[发明专利]一种加热组件、封装装置和封装方法有效
申请号: | 201810374256.7 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN108538763B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 任锦宇;宋勇志;周波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L51/52 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加热 组件 封装 装置 方法 | ||
本发明实施例公开了一种加热组件、封装装置和封装方法。其中,加热组件用于对封装件进行加热和固化,该加热组件包括:光源组件,用于发出对封装件中第一区域的第一胶材进行加热的第一光,以及发出对封装件中第二区域的第二胶材进行固化的第二光,该封装件为封装电子器件的组件。本发明实施例通过合理的设计光源组件的发光类型,采用第一光加热第一胶材,并且采用第二光固化第二胶材,解决了现有封装技术中由于填充胶扩散不充分导致的气泡问题,同时解决了由于封框胶被填充胶冲击产生损坏及缺陷的问题。
技术领域
本申请涉及但不限于显示技术领域,尤指一种加热组件、封装装置和封装方法。
背景技术
随着电子元器件的发展和大量生产,封装技术也随之发展,有机电致发光显示器件(Organic Electroluminance Display,简称为:OLED)通常采用封框胶和填充胶(DAMFILL)封装技术进行封装。
现有的DAMFILL封装技术中,存在以下两个问题:一是填充胶(FILL)无法充分扩散导致的气泡问题,二是填充胶(FILL)扩散对封框胶(DAM)的冲击,会导致封框胶出现损坏及缺陷。上述DAMFILL的封装技术,避免填充胶产生气泡和避免封框胶受损的改善方式具有矛盾性。如果要避免填充胶产生气泡,需要降低填充胶黏度,使其易于流动扩散,采用的方法通常是加热,但加热同时封框胶也会被加热,其黏度下降,抗冲击性下降,会被扩散来的填充胶冲坏,产生损伤及缺陷。如果要提升封框胶的硬度,就需要对其进行一定程度紫外线(Ultraviolet,简称为:UV)固化,但是,UV光也会同时照射到填充胶后,填充胶也会发生一定程度固化,黏度上升,不利于扩散,容易产生气泡。显然地,现有技术中难以同时兼顾填充胶产生气泡和封框胶受损的双面问题。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种加热组件、封装装置和封装方法,通过合理的设计光源组件的发光类型,采用第一光加热第一胶材,并且采用第二光固化第二胶材,解决了现有封装技术中由于填充胶扩散不充分导致的气泡问题,同时解决了由于封框胶被填充胶冲击产生损坏及缺陷的问题。
本发明实施例提供一种加热组件,用于对封装件进行加热和固化,包括:光源组件;
所述光源组件,用于发出对封装件中第一区域的第一胶材进行加热的第一光,以及发出对所述封装件中第二区域的第二胶材进行固化的第二光,所述封装件为封装电子器件的组件。
可选地,如上所述的加热组件中,所述光源组件包括:用于发出所述第一光的第一光源,以及用于发出所述第二光的第二光源。
可选地,如上所述的加热组件中,所述光源组件包括:用于发出所述第一光的第一光源,以及设置于所述第一光源上的光转换层,所述光转换层设置于所述第二区域在所述第一光源所在平面的正投影位置;
所述光转换层,用于将所述第一光源发出的第一光转换为所述第二光。
可选地,如上所述的加热组件中,所述光转换层为掺杂上转换材料的透明树脂。
可选地,如上所述的加热组件中,所述第一光为可见光,所述第二光为紫外光,所述上转换材料为:可见-紫外上转换材料。
可选地,如上所述的加热组件中,还包括:设置于光源组件上的支撑柱;
所述支撑柱,用于支撑所述封装件。
可选地,如上所述的加热组件中,还包括:覆盖在所述光源组件上的扩散层或透明盖板;或者,
覆盖在所述光源组件上的扩散层,以及覆盖在所述扩散层上的透明盖板。
可选地,如上所述的加热组件中,当采用所述加热组件对所述封装件进行加热时,所述第一光所在的第一发光区域位于所述第一区域在所述光源组件所在平面的正投影位置,所述第二光所在的第二发光区域位于所述第二区域在所述光源组件所在平面的正投影位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造