[发明专利]一种降低氧气使用量的磷吸杂扩散工艺

权利要求书

1.一种降低氧气使用量的磷吸杂扩散工艺，包括以下步骤：

(1)、开始：时间为5—20s，温度设置为770—790℃，大氮流量为4—15L/min，小氮和氧气的流量均为0L/min；

(2)、进舟：时间为500—900s，温度设置为770—790℃，大氮流量为4—15L/min，小氮和氧气的流量为0L/min，进舟速度为300—600mm/min；

(3)、升温：时间为300—800s，温度设置为770—790℃，大氮流量为10—25L/min，小氮和氧气的流量均为0L/min；

(4)、前氧化；

(5)、第一次沉积：时间为600—1200s，温度设置为770—790℃，大氮流量为10—25L/min，小氮流量为0.9—2.2L/min，氧气流量为0.3—2.2L/min；

(6)、第一次推进：时间为400—700s，温度设置为790—810℃，大氮流量为10—25L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0—2L/min；

(7)、第二次沉积：时间为400—700s，温度设置为790—810℃，大氮流量为10—25L/min，小氮流量为0.9—2.2L/min，氧气流量为0.3—2.2L/min；

(8)、第二次推进：时间为300—600s，温度设置为810—830℃，大氮流量为10—25L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0—2L/min；

(9)、第三次沉积：时间为200—600s，温度设置为810—830℃，大氮流量为10—25L/min，小氮流量为0.9—2.2L/min，氧气流量为0.3—2.2L/min；

(10)、第三次推进：时间为150—400s，温度设置为830—850℃，大氮流量为10—25L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0—2L/min；

(11)、后氧化；

(12)、出舟：时间为700—1200s，温度设置为700—800℃，大氮流量为4—15L/min，小氮和氧气的流量为0L/min，出舟速度为200—400mm/min；

(13)、结束：时间为5—20s，温度设置为750—800℃，大氮流量为4—15L/min，小氮和氧气的流量均为0L/min；

(14)、冷却：将上述硅片冷却至室温，即得所要求的硅片；

其特征在于，步骤(4)前氧化的具体步骤为：

S1、时间为30—40s，温度设置为800—820℃，大氮流量为15—20L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为1—2L/min；

S2、时间为50—60s，温度设置为820—840℃，大氮流量为15—20L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为2—2.5L/min；

S3、时间为70—90s，温度设置为840—880℃，大氮流量为15—20L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为2—3L/min；

步骤(11)后氧化的具体步骤为：

S1、时间为60—400s，温度设置为750—810℃，大氮流量为20—25L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0.5—0.8L/min；

S2、时间为80—500s，温度设置为810—830℃，大氮流量为20—25L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0.8—1L/min；

S3、时间为100—900s，温度设置为830—850℃，大氮流量为20—25L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为1—2L/min。

2.根据权利要求1所述的一种降低氧气使用量的磷吸杂扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、开始：时间为5s，温度设置为770℃，大氮流量为4L/min，小氮和氧气的流量均为0L/min；

(2)、进舟：时间为500s，温度设置为770℃，大氮流量为4L/min，小氮和氧气的流量为0L/min，进舟速度为300mm/min；

(3)、升温：时间为300s，温度设置为770℃，大氮流量为10L/min，小氮和氧气的流量均为0L/min；

(4)、前氧化：

S1、时间为30s，温度设置为800℃，大氮流量为15L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为1L/min；

S2、时间为50s，温度设置为820℃，大氮流量为15L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为2L/min；

S3、时间为70s，温度设置为840℃，大氮流量为15L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为2L/min；

(5)、第一次沉积：时间为600s，温度设置为770℃，大氮流量为10L/min，小氮流量为0.9L/min，氧气流量为0.3L/min；

(6)、第一次推进：时间为400s，温度设置为790℃，大氮流量为10L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0L/min；

(7)、第二次沉积：时间为400s，温度设置为790℃，大氮流量为10L/min，小氮流量为0.9L/min，氧气流量为0.3L/min；

(8)、第二次推进：时间为300s，温度设置为810℃，大氮流量为10L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0L/min；

(9)、第三次沉积：时间为200s，温度设置为810℃，大氮流量为10L/min，小氮流量为0.9L/min，氧气流量为0.3L/min；

(10)、第三次推进：时间为150s，温度设置为830℃，大氮流量为10L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0L/min；

(11)、后氧化：

S1、时间为60s，温度设置为750℃，大氮流量为20L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0.5L/min；

S2、时间为80s，温度设置为810℃，大氮流量为20L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0.8L/min；

S3、时间为100s，温度设置为830℃，大氮流量为20L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为1L/min；

(12)、出舟：时间为700s，温度设置为700℃，大氮流量为4L/min，小氮和氧气的流量为0L/min，出舟速度为200mm/min；

(13)、结束：时间为5s，温度设置为750℃，大氮流量为4L/min，小氮和氧气的流量均为0L/min；

(14)、冷却：将上述硅片冷却至室温，即得所要求的硅片。