[发明专利]一种利用分子束外延设备生长大尺度砷化镉薄膜的方法在审
| 申请号： | 201810377140.9 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108660508A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 修发贤;凌霁玮 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 砷化 生长 镉薄膜 分子束外延设备 云母 薄膜单晶 迁移率 衬底 非晶 薄膜制备技术 低温缓冲层 衬底处理 单晶薄膜 热蒸发源 大尺度 对设备 缓冲层 晶圆级 蒸发源 碲化镉 块体 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用分子束外延设备生长大尺度砷化镉薄膜的方法，其特征在于，具体步骤为：
（1）采用云母作为衬底，对衬底采用机械剥离方式处理，以得到平整清洁的解理面；
（2）采用分子束外延技术，在衬底上生长碲化镉作薄膜作为缓冲层；生长碲化镉缓冲层以解决晶格失配问题；
（3）采用分子束外延技术，在碲化镉上生长砷化镉薄膜，分两步进行：首先以较低温度110-120℃生长温度生长4-10纳米砷化镉薄膜，使得砷化镉在缓冲层上大面积成核外延，随后，提高生长温度至150-170℃生长所需厚度的砷化镉单晶薄膜。
2.根据要求权利1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中，生长碲化镉薄膜时，衬底温度为180-200℃，碲化镉薄膜厚度为10-20纳米。
3.根据要求权利1所述的方法，其特征在于，生长砷化镉薄膜时，以非晶砷化镉块材作为蒸发源。
4.根据要求权利1所述的方法，其特征在于，作为衬底的云母大小为1-2英寸。
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