[发明专利]一种功率半导体模块封装结构

权利要求书

1.一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，包括

基板；

壳体，所述壳体与所述基板紧固连接；

功率半导体模块子单元，其设置在所述壳体与所述基板形成的容纳空间内，用于形成拓扑控制电路结构，所述功率半导体模块子单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相对设置的两所述衬板之间通过功率端子组和模块级键合线连接，所述功率端子组的顶部外延伸出所述壳体的顶部；以及，

辅助端子，用于将驱动信号引入所述功率半导体模块子单元，并将测试信号引出至外围系统；

在所述衬板的中部区域设置有芯片组，所述芯片组包括第一芯片，在衬板上设置有用于控制所述第一芯片工作的驱动信号回路；

所述驱动信号回路包括相对间隔设置在所述衬板第一周向边缘侧的第一金属层区域和第二金属层区域；

在所述第二金属层区域焊接有贴片型电阻；

所述驱动信号回路还包括：

平行间隔设置在所述衬板第二周向边缘侧的第三金属层区域和第四金属层区域，所述第三金属层区域靠近所述芯片组；

跨域设置在所述衬板所述第一周向边缘侧和第二周向边缘侧的第五金属层区域，所述第四金属层区域位于所述第三金属层区域与所述第五金属层区域之间，所述第五金属层区域的始端与所述第二金属层区域的末端间隔对应布置；

设置在所述衬板第三周向边缘侧的第六金属层区域，所述第六金属层区域的始端与所述第四金属层区域和所述第五金属层区域的末端间隔对应布置；

所述第一金属层区域、所述第二金属层区域、所述第三金属层区域、所述第四金属层区域、所述第五金属层区域和所述第六金属层区域依次通过所述模块级键合线连接，相对设置的两所述衬板之间的所述第一金属层区域和所述第六金属层区域之间通过所述模块级键合线连接，所述第一芯片的控制栅极通过门极键合线与所述第三金属层区域连接并通过所述模块级键合线与所述辅助端子连接。

2.根据权利要求1所述的一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，所述辅助端子的底部引脚与所述衬板连接，所述辅助端子的顶部外延伸出所述壳体的顶部。

3.根据权利要求1或2所述的一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，所述芯片组还包括第二芯片，其设在所述第一芯片的一侧，其尺寸大于所述第一芯片的尺寸；

所述第一芯片和所述第二芯片均为大尺寸功率芯片，所述第一芯片和所述第二芯片的面积尺寸为标准模块内芯片面积的N倍，N大于等于2；所述第一芯片和所述第二芯片之间通过芯片键合线连接。

4.根据权利要求3所述的一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，所述芯片组为多个时，多个芯片组之间并联连接。

5.根据权利要求3所述的一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，所述芯片键合线设置成铝线、铝带、铜线、铜带或铝包铜带。

6.根据权利要求3所述的一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，所述功率端子组包括阳极功率端子和阴极功率端子，所述阳极功率端子和所述阴极功率端子在竖直方向上均设置成蜿蜒结构，所述阳极功率端子和所述阴极功率端子的顶部呈镜像对称布置，所述阳极功率端子和所述阴极功率端子的底部一侧设置成交叉配合结构，以使所述功率端子组导通不同方向电流时形成低杂散电感。

7.根据权利要求6所述的一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，所述阳极功率端子和所述阴极功率端子均为预弯折成型功率端子，所述阳极功率端子和所述阴极功率端子均包括安装部，所述安装部的一侧依次连接第一弯折部、竖向连接部、第二弯折部、水平连接部、第三弯折部和底部引脚部；所述阳极功率端子的底部引脚部包括反向间隔设置的第一引脚和第二引脚，所述阴极功率端子的底部引脚部包括反向间隔设置的第三引脚和第四引脚，所述阴极功率端子的所述第三引脚穿过所述阳极功率端子的底部设置在所述阳极功率端子的一侧，所述阴极功率端子的所述第四引脚设置在所述阴极功率端子的一侧，所述阳极功率端子的所述第一引脚设置在所述阴极功率端子的一侧，所述阳极功率端子的所述第二引脚设置在所述阳极功率端子的一侧。