[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201810377889.3 | 申请日: | 2018-04-25 |
公开(公告)号: | CN108807367B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 武野紘宜;冈本淳 | 申请(专利权)人: | 株式会社索思未来 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/528;H02M7/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:
第一电路,形成于半导体基板;
第二电路,形成于上述半导体基板;
第一电源线;
第二电源线,与上述第一电路连接;
第一接地线;
第三电源线;
第四电源线,与上述第二电路连接;
第二接地线;
第一开关电路,该第一开关电路具有:源极/漏极的一端与上述第一电源线连接,另一端与上述第二电源线连接的第一开关晶体管;和与上述第二电源线电连接的上述半导体基板的阱抽头;以及
第二开关电路,该第二开关电路具有源极/漏极的一端与上述第三电源线连接,另一端与上述第四电源线连接的第二开关晶体管,不具有与上述第四电源线电连接的上述半导体基板的阱抽头。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述第二电源线、上述第四电源线、上述第一接地线以及上述第二接地线沿第一方向延伸,
上述第一方向上的上述第二开关电路的长度比上述第一方向上的上述第一开关电路的长度短。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一开关电路与上述第一电路相邻配置,
上述第二开关电路与上述第二电路相邻配置。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于,
多个上述第二开关电路与上述第二电路相邻配置,
多个上述第二开关电路朝与上述第一方向正交的第二方向配置。
5.根据权利要求2~4中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
在俯视时,上述第二开关电路配置在多个上述第二电路之间。
6.根据权利要求2~5中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述第四电源线和上述第二接地线在配置上述第一电路和上述第二电路的设计区域的末端中断,
上述第二开关电路配置在上述第二电路与上述设计区域的端之间。
7.根据权利要求2~6中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述第二开关电路在上述第一方向上的上述第二开关晶体管的两侧,具有与上述第二开关晶体管相邻设置的端盖区域。
8.根据权利要求2~7中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述第二电路具有与上述第一电路电连接的端子,上述第二开关电路与未配置有上述端子侧的上述第二电路的端相邻配置。
9.根据权利要求2~8中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一电源线和上述第二电源线在上述第一开关晶体管上形成分支,并与上述第一开关晶体管的杂质区域在多个位置连接,
上述第三电源线和上述第四电源线在上述第二开关晶体管上形成分支,并与上述第二开关晶体管的杂质区域在多个位置连接。
10.根据权利要求1~9中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一开关晶体管和上述第二开关晶体管为相同的结构。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的