[发明专利]封装结构

说明书

本公开实施例提供一种封装结构。此封装结构包括介电层形成于第一基板之上，以及导电层形成于介电层之中。此封装结构包括凸块下金属层形成于介电层之上，且凸块下金属层电性连接至导电层。此封装结构亦包括第一突出结构形成于凸块下金属层之上，且第一突出结构延伸向上远离凸块下金属层。此封装结构包括第二突出结构形成于凸块下金属层之上，且第二突出结构延伸向上远离凸块下金属层。此封装结构包括第一电性连接器形成于第一突出结构之上；以及第二电性连接器形成于第二突出结构之上。气隙形成于第一突出结构与第二突出结构之间。

技术领域

本公开实施例是关于一种半导体结构，且特别是关于一种封装结构及其形成方法。

背景技术

半导体装置使用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。半导体装置通常通过以下方式而制造，包括在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体层，使用光刻工艺图案化上述各材料层，借以在此半导体基板上形成电路组件及元件。通常在单一半导体晶片上制造许多集成电路，并且通过沿着切割线在集成电路之间进行切割，以将各个管芯单一化。上述各个管芯通常分别地封装于，例如，多芯片模块中或其他类型的封装中。

已经开始发展新的封装技术，例如，堆叠式封装(package on package,PoP)，其中具有装置管芯的顶部封装接合至具有另一个装置管芯的底部封装。通过采用新的封装技术，将具有不同或相似功能的各种封装整合在一起。

虽然现有的封装结构与制造封装结构的方法一般已足以胜任其预期目的，但其尚未全面满足所有的面向。

发明内容

根据一些实施例，本公开提供一种封装结构，包括︰介电层，形成于第一基板之上；导电层，形成于介电层之中；凸块下金属层，形成于介电层之上，其中凸块下金属层电性连接至导电层；第一突出结构，形成于凸块下金属层之上，其中第一突出结构延伸向上远离凸块下金属层；第二突出结构，形成于凸块下金属层之上，其中第二突出结构延伸向上远离凸块下金属层；第一电性连接器，形成于第一突出结构之上；以及第二电性连接器，形成于第二突出结构之上，其中气隙形成于第一突出结构与第二突出结构之间。

根据一些实施例，本公开提供一种封装结构，包括︰装置管芯，形成于第一基板之上；导电垫，形成于装置管芯之上；介电层，形成于导电垫之上；导电层，形成于介电层之中且位于导电垫之上，其中导电垫电性连接至导电层；第一凸块下金属层，形成于介电层之上，其中凸块下金属层电性连接至导电层；第一突出结构，形成于第一凸块下金属层之上；第一电性连接器，形成于第一突出结构之上；贯孔结构，相邻于装置管芯而形成；第二凸块下金属层，形成于贯孔结构之下；第二突出结构，形成于第二凸块下金属层之上；以及第二电性连接器，形成于第二突出结构之上。

根据一些实施例，本公开提供一种封装结构，包括︰第一装置管芯，形成于第一基板之上；封装结构，围绕第一装置管芯；导电层，形成于第一装置管芯与封装层之上；多个第一电性连接器，形成于第一装置管芯之上，其中第一电性连接器具有第一高度；多个第二电性连接器，形成于封装层之上，其中第二电性连接器具有第二高度，且第二高度大于第一高度；第二装置管芯，形成于第一电性连接器之上；以及多个突出结构，埋设于第二电性连接器之中，其中突出结构延伸向上远离导电层。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1A到图1L示出依据本公开的一些实施例的形成第一封装结构的各个工艺阶段的剖面图。

图2A示出依据本公开的一些实施例的第一突出结构、第二突出结构及凸块下金属层的沿着图1L的I-I’剖线的俯视图。

图2B示出依据本公开的一些实施例的图1L的第一突出结构、第二突出结构、凸块下金属层及第一基板的俯视图。