[发明专利]半导体干式蚀刻机台及其工艺流程在审
| 申请号： | 201810378711.0 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN109962002A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支管 氮气管 氮气阀门 机台 真空传输室 工艺腔 干式蚀刻 工艺流程 氮气源 气闸室 连通 半导体 半导体技术领域 压力控制器 并列设置 产品缺陷 氮气管道 依次设置 硅片 预防 改进 | ||
1.一种半导体干式蚀刻机台，包括依次设置的气闸室、真空传输室以及工艺腔；其特征在于，所述气闸室通过氮气管二连通于氮气源一；所述氮气管二上设有氮气阀门一；所述真空传输室与所述工艺腔均通过氮气管一连通于氮气源二；所述真空传输室通过支管组(第一支管与第二支管的组合)与所述氮气管一连通，所述支管组包括并列设置的第一支管与第二支管以及第三支管，所述第一支管与所述氮气管一连通；所述第一支管上同时设有压力控制器与氮气阀门二；所述第二支管通过氮气阀门三与所述氮气管一连通；所述工艺腔通过所述第三支管连通于所述氮气管一，所述第三支管上设有氮气阀门四。
2.根据权利要求1所述的半导体干式蚀刻机台，其特征在于，还包括装载端口，所述装载端口的一端设于所述工艺腔的进口端，用于向所述气闸室输入待加工硅片，所述装载端口的另一端设置于所述工艺腔的出口端，用于装载从所述气闸室输出的已工艺硅片。
3.根据权利要求1所述的半导体干式蚀刻机台，其特征在于，还包括硅片对齐模块，设于所述装载端口与所述气闸室之间。
4.根据权利要求1所述的半导体干式蚀刻机台，其特征在于，还包括大气传输组件，所述大气传输组件包括大气传输手臂，所述大气传输手臂用于实现待加工硅片在所述装载端口与所述气闸室之间的传输。
5.根据权利要求1所述的半导体干式蚀刻机台，其特征在于，所述真空传输室内设有真空传输手臂，所述真空传输手臂实现待加工硅片在所述气闸室、所述真空传输室与所述工艺腔间的运输。
6.根据权利要求1所述的半导体干式蚀刻机台，其特征在于，还包括硅片冷却暂存区，设置在所述气闸室相对于所述真空传输室的另一端，用于暂时放置已完成刻蚀工艺的硅片。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体干式蚀刻机台，其特征在于，还包括操作界面，用于实现控制蚀刻机台的运行状态。
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