[发明专利]三维存储器的制造方法及形成晶体硅层的方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一绝缘叠层，所述第一绝缘叠层包括沿第一方向交替堆叠的第一绝缘层和第二绝缘层；所述第一方向为垂直于所述衬底的表面的方向；

在所述第一绝缘叠层上形成台阶结构，得到第二绝缘叠层，使得所述第二绝缘叠层包括沿第二方向并排设置的台阶区和核心区；所述第二方向为平行于所述衬底的表面的方向，所述台阶区包括所述台阶结构；

形成沿第一方向贯穿所述台阶区的多个第一通道孔；

形成沿第一方向贯穿所述核心区的多个第二通道孔；

在所述多个第一通道孔的底部形成第一无定型硅层；

在所述多个第二通道孔的底部形成第二无定型硅层；

对所述第一无定型硅层和所述第二无定型硅层进行激光照射，以使所述第一无定型硅层和所述第二无定型硅层结晶。

2.如权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于：所述第一无定型硅层具有第一预定高度；

所述第二无定型硅层具有第二预定高度。

3.如权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述第一无定型硅层和所述第二无定型硅层的顶部在所述第二方向上齐平。

4.如权利要求1至3中任一项所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在所述激光照射步骤中，采用准分子激光。

5.如权利要求4所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述准分子激光的波长的范围是180nm至360nm。

6.如权利要求5所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述准分子激光为KrF准分子激光。

7.如权利要求1至3中任一项所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在所述激光照射步骤中，所述激光的能量密度的上限是10焦耳每平方厘米，所述激光的能量密度的下限是1焦耳每平方厘米。

8.如权利要求7所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在所述激光照射步骤中，进行激光照射的时长的上限是100秒，进行激光照射的时长的下限是30秒。

9.如权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，还包括：

形成沿第一方向贯穿所述核心区的多个第三通道孔；所述多个第三通道孔的孔密度和/或孔径不同于所述多个第二通道孔；

在所述多个第三通道孔的底部形成第三无定型硅层；

对所述第三无定型硅层进行激光照射，以使所述第三无定型硅层结晶。

10.如权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，还包括：

形成沿第一方向贯穿所述第二绝缘叠层的沟槽；所述沟槽全部形成在所述核心区，或者所述沟槽全部形成在所述台阶区，或者所述沟槽的一部分形成在所述核心区，另一部分形成在所述台阶区；所述沟槽用于将所述第二绝缘叠层划分成第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分通过所述沟槽完全分离；

在所述沟槽的底部形成第四无定型硅层；

对所述第四无定型硅层进行激光照射，以使所述第四无定型硅层结晶。

11.如权利要求10所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述多个第一通道孔内形成第一虚设存储串；

在所述多个第二通道孔内形成存储串；

在所述多个第三通道孔内形成第二虚设存储串；

在所述沟槽内形成隔离墙；

所述第一虚设存储串、所述第二虚设存储串和所述隔离墙与所述存储串具有相同的层结构；所述第一虚设存储串、所述第二虚设存储串、所述隔离墙和所述存储串中，仅所述存储串用于存储数据。