[发明专利]光调制器件及包括该光调制器件的光设备有效
申请号: | 201810379043.3 | 申请日: | 2018-04-25 |
公开(公告)号: | CN109254422B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 朴晶铉;庆智秀;金善日;申昶均;郑秉吉;崔秉龙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;G02B5/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调制 器件 包括 设备 | ||
1.一种光调制器件,包括:
纳米天线;
导体;
设置在所述纳米天线与所述导体之间的有源层,其中所述有源层的至少一种特性基于施加到其的电压而是可变化的;
设置在所述有源层和所述导体之间的第一电介质层;
设置在所述有源层和所述纳米天线之间的第二电介质层;以及
信号施加单元,被配置为独立地将电信号施加到所述纳米天线、所述有源层和所述导体中的至少两个,
其中所述有源层包括第一电荷浓度变化区域和第二电荷浓度变化区域,其中第一电荷浓度变化区域和第二电荷浓度变化区域通过由所述信号施加单元施加所述电信号而形成,以及
其中所述第一电荷浓度变化区域邻近所述第一电介质层,并且所述第二电荷浓度变化区域邻近所述第二电介质层。
2.如权利要求1所述的光调制器件,其中所述信号施加单元被配置为向所述导体施加第一电压并且向所述纳米天线施加第二电压。
3.如权利要求2所述的光调制器件,其中所述信号施加单元包括:
第一电压施加单元,被配置为在所述导体和所述有源层之间施加所述第一电压;以及
第二电压施加单元,被配置为在所述有源层和所述纳米天线之间施加所述第二电压。
4.如权利要求1所述的光调制器件,其中所述信号施加单元被配置为向所述导体施加第一电压,向所述有源层施加第二电压以及向所述纳米天线施加第三电压。
5.如权利要求1所述的光调制器件,其中所述信号施加单元被配置为将第一电压施加到所述导体,将第二电压施加到所述有源层,以及将第三电压施加到所述纳米天线,以及
其中所述第一电压和所述第三电压中的至少一个不同于所述第二电压。
6.如权利要求5所述的光调制器件,其中所述第二电压是用于所述第一电压和所述第三电压的参考电压。
7.如权利要求5所述的光调制器件,其中所述第二电压为地电压。
8.如权利要求1所述的光调制器件,其中,所述导体是设置在所述有源层下方的背反射器电极。
9.如权利要求1所述的光调制器件,其中所述导体是金属层。
10.如权利要求1所述的光调制器件,其中所述有源层是第一有源层,并且所述光调制器件还包括设置在所述导体和所述第一电介质层之间的第二有源层,其中所述第二有源层电接触所述导体。
11.如权利要求1所述的光调制器件,其中所述有源层是第一有源层,并且所述光调制器件还包括:
第二有源层,设置在所述第一电介质层和所述第二电介质层之间;以及
中间电介质层,设置在所述第一有源层和所述第二有源层之间。
12.如权利要求1所述的光调制器件,其中所述有源层包括下有源层和上有源层,以及
其中所述下有源层的材料不同于所述上有源层的材料,或者所述下有源层的掺杂特性不同于所述上有源层层的掺杂特性。
13.如权利要求1所述的光调制器件,其中所述导体包括彼此间隔开的多个所述导体,并且所述纳米天线包括彼此间隔开的多个所述纳米天线。
14.如权利要求13所述的光调制器件,其中所述信号施加单元被配置为向所述多个导体中的至少两个施加不同的电压,并且向所述多个纳米天线中的至少两个施加不同的电压。
15.如权利要求13所述的光调制器件,其中所述信号施加单元被配置为向所述多个导体中的每一个独立地施加电压,并且向所述多个纳米天线中的每一个独立地施加电压。
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