[发明专利]一种氮化物半导体白光发光二极管有效
| 申请号： | 201810379124.3 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108598225B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 王星河 | 申请（专利权）人： | 黎明职业大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/08;H01L33/26;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11390 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 胡剑辉<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 362018福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 白光发光二极管 氮化物半导体 多量子阱 二维材料 开口位置 超晶格 位错 发光效率 红绿蓝光 模板过滤 区域形成 白光 红光 蓝光 绿光 过滤 | ||
1.一种氮化物半导体白光发光二极管，依次包括衬底、缓冲层、位错线、纳米位错过滤模板层、第一导电型半导体、多量子阱、V形坑(V-pits)、第二导电型半导体，其特征在于：多个所述的V形坑(V-pits)经过纳米位错过滤模板层过滤位错后，在多量子阱区域形成均匀分布设置，多个所述的V形坑(V-pits)包含多组相邻设置的第一V形坑和第二V形坑，第一V形坑和第二V形坑之间为发出蓝光的多量子阱，第一V形坑开口位置设有发出红光的WS2/MoS2超晶格二维材料，第二V形坑开口位置设有发出绿光的GaS/InSe超晶格二维材料，红绿蓝光混合出射出白光。
2.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的WS2/MoS2超晶格二维材料由WS2二维材料和MoS2二维材料构成，WS2二维材料和MoS2二维材料的层数均小于3层，使该第一V形坑射出红光。
3.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的GaS/InSe超晶格二维材料由GaS二维材料和InSe二维材料构成，GaS二维材料和InSe二维材料的层数均小于3层，使该第二V形坑射出绿光。
4.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的纳米位错过滤模板层由多个尺寸为10nm<d2<500nm的SiO2或SiNx组成，相邻间距为d1<100nm，使每个纳米位错模板层之间的向上延伸的位错线小于3条，在每个纳米位错模板层间隙位置仅形成1个V形坑(V-pits)，使V形坑(V-pits)在量子阱均匀分布。
5.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的第一V形坑和第二V形坑之间的发出蓝光的多量子阱为InxGa1-xN/GaN量子阱，其中In组分为0.15<x<0.25。
6.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的第一V形坑的开口尺寸、第二V形坑的开口尺寸，以及第一V形坑和第二V形坑之间的多量子阱的尺寸均为纳米级别。
7.根据权利要求1或6所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述第一V形坑和第二V形坑在多量子阱中均匀分布，第一V形坑的开口大小为50～300nm，第二V形坑的开口大小为50～300nm，第一V形坑和第二V形坑之间的多量子阱尺寸为50～300nm。
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