[发明专利]制造系统中的错误侦测方法

说明书

本公开部分实施例提供一种制造系统中的错误侦测方法。上述方法包括自一起始位置运送储存有一光罩的一光罩载具至一终点位置。上述方法还包括在光罩载具的运送过程中，通过放置于光罩载具中的一测量工具侦测在光罩载具内的一环境因子。上述方法也包括当所侦测的环境因子超出一可接受数值范围时，发出一警示。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体技术，特别涉及一种半导体制造设施及其制造系统的错误侦测方法。

背景技术

由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高是来自半导体工艺节点的减少(例如，将工艺节点收缩到7nm节点)。随着半导体装置规模的缩小，需要自一个世代至下一个世代采用新的技术来维持电子元件的性能。随着制造商在集成电路中设计更小的特征尺寸和更多的功能，装置复杂性也在不断增加。这种复杂的装置可能会导致更多的光刻步骤。

随着半导体技术的发展，越来越先进的光刻技术已被广泛采用以应用于现今的集成电路加工程序。光刻技术涉及在基板上形成光阻层、根据所需图案将光阻层的部分暴露于图案化的光线下、显影光阻层以去除光阻层的部分以暴露下层材料的一部分。然后可以在基板上执行诸如干式刻蚀、湿式刻蚀等的蚀刻加工。如此一来，可以移除暴露的下层材料以产生期望的图案。

集成电路的光刻工艺可包括多道光刻加工程序。由于加工程序的复杂性，每一道光刻加工程序可分别采用一种光罩(掩模)，以产生集成电路的元件的图案。如此一来，即有在工厂内传送光罩的需求。

虽然已有多个对于运输光罩的方法的改进被提出，但它们在所有方面并不完全令人满意。因此，提供改进运输系统的解决方案以减轻或避免由于光罩运输过程中储存条件不当导致晶圆废料过多的状况即被需求。

发明内容

本公开部分实施例提供一种制造系统中的错误侦测方法。上述方法包括自一起始位置运送储存有一光罩的一光罩载具至一终点位置。上述方法还包括在光罩载具的运送过程中，通过放置于光罩载具中的一测量工具侦测在光罩载具内的一环境因子。上述方法也包括当所侦测的环境因子超出一可接受数值范围时，发出一警示。

本公开部分实施例提供一种制造系统中的错误侦测方法。上述方法包括在一光刻曝光设备中，运送装载有一光罩的一光罩载具的一内壳体。上述方法还包括在内壳体运送于在光刻曝光设备内的过程中，通过设置于内壳体内部的一测量工具侦测在光罩周遭的环境因子。上述方法也包括当所侦测的环境因子超出一可接受数值范围时，发出一警示。

本公开部分实施例提供一种制造设施。上述制造设施包括一光罩载具，配置用于接收在一光刻曝光工艺中所使用的一光罩。上述制造设施还包括一第一测量工具，设置于光罩载具中并配置用于侦测光罩载具中的一环境因子。上述制造设施也包括一传送设备，配置用于传送光罩载具。并且上述制造设施包括一控制系统，配置用于在第一测量工具所侦测的环境因子超出一可接受数值范围时，控制传送设备移动光罩载具以进行维护。

附图说明

图1显示根据一些实施例的一制造设施的方框图。

图2显示根据一些实施例的一制造设施的部分元件的示意图。

图3显示根据一些实施例的一光罩载具的示意图。

图4显示根据一些实施例的一光罩载具的示意图。

图5显示根据一些实施例的一制造设施的部分元件的方框图。

图6显示根据一些实施例中在一光罩载具中执行错误侦测的一方法的简化流程图。

图7显示根据一些实施例的在用于储存一光罩的一光罩载具中所测量的湿度相对于时间的关系图、上限控制及下限控制。

图8显示根据一些实施例的一光刻曝光设备的示意图。