[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810379975.8 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108682721A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 魏柏林;魏晓骏;郭炳磊;马磊;林凡 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源层 超晶格结构 发光二极管外延 空穴 电子阻挡层 二维电子气 外延片 衬底 制备 未掺杂GaN层 发光二极管 电子复合 电子限制 发光效率 光电领域 依次设置 排斥力 半导体 吸引 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、有源层、电子阻挡层及P型层，其特征在于，所述电子阻挡层包括InxAl1-xN/AlN/InyGa1-yN超晶格结构，其中，0.1<x<0.4，0.05<y<0.4。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，在所述InxAl1-xN/AlN/InyGa1-yN超晶格结构中，InxAl1-xN子层的厚度为2-3nm，AlN子层的厚度为0.5-1nm，InyGa1-yN子层的厚度为1.5-3nm。
3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述InxAl1-xN子层的厚度为2nm，所述AlN子层的厚度为1nm，所述InyGa1-yN子层的厚度为2nm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述x为0.2，所述y为0.1。
5.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述InxAl1-xN/AlN/InyGa1-yN超晶格结构的周期为2-5。
6.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长GaN缓冲层；
在所述GaN缓冲层上生长未掺杂GaN层；
在所述未掺杂GaN层上生长N型层；
在所述N型层上生长有源层；
在所述有源层上生长电子阻挡层，所述电子阻挡层包括InxAl1-xN/AlN/InyGa1-yN超晶格结构，0.1<x<0.4，0.05<y<0.4；
在所述电子阻挡层上生长P型层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述InxAl1-xN/AlN/InyGa1-yN超晶格结构的生长温度为900℃-1200℃。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述InxAl1-xN/AlN/InyGa1-yN超晶格结构的生长压力为100Torr-300Torr。
9.根据权利要求6～8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述衬底上生长N型层之前，对所述衬底进行退火处理。
10.根据权利要求6～8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述GaN缓冲层上生长未掺杂GaN层之前，对所述GaN缓冲层进行原位退火处理。
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