[发明专利]扩散炉管设备及处理废气的方法有效
申请号: | 201810380886.5 | 申请日: | 2018-04-25 |
公开(公告)号: | CN108389788B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;B01D49/00 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 张臻贤;武晨燕 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扩散 炉管 设备 处理 废气 方法 | ||
1.一种扩散炉管设备,其特征在于,包括:
扩散炉管反应室,用于制造半导体器件并产生废气,所述扩散炉管反应室包括用于排出所述扩散炉管反应室中废气的废气口,其中,所述废气包含颗粒状的粉尘,所述粉尘包括ZrCp(NMe2)3颗粒;
废气预处理系统,所述废气预处理系统的进气口与所述扩散炉管反应室的所述废气口连接,所述废气预处理系统包括等离子体室,所述等离子体室用于使所述粉尘与氧气进行电化学反应,以将所述废气转变为固体废料和副产气体;以及
真空泵,所述真空泵与所述废气预处理系统的出气口连接,以抽取所述废气预处理系统中产生的所述副产气体,
所述废气预处理系统还包括:
气体偏转器,所述气体偏转器包括混合气体进口、第一出口和第二出口,所述气体偏转器的所述混合气体进口与所述等离子体室的连接,所述气体偏转器的所述第一出口作为所述废气预处理系统的所述出气口并与所述真空泵连接,所述气体偏转器通过所述第二出口将所述等离子体室分解产生的固体废料排出;以及
固体收集器,所述固体收集器与所述气体偏转器的所述第二出口连接,用于收集所述气体偏转器排出的固体废料,
所述气体偏转器包括T型腔体,所述气体偏转器的所述混合气体进口与所述气体偏转器的所述第二出口在竖直方向上对齐,所述气体偏转器的所述第一出口垂直于所述气体偏转器的所述第二出口设置,以使所述等离子体室分解产生的所述副产气体和固体废料分离在所述气体偏转器的不同出口。
2.根据权利要求1所述的扩散炉管设备,其特征在于,所述废气预处理系统还包括:
气体扩散器,与所述等离子体室连接;所述气体扩散器包括氧气注入口,用于将氧气注入到所述气体扩散器中;所述气体扩散器用于将输入的废气与所述氧气注入口注入的氧气混合,并将混合气体注入到所述等离子体室。
3.根据权利要求1所述的扩散炉管设备,其特征在于,所述气体偏转器内设有弯折的气流曲道。
4.根据权利要求1所述的扩散炉管设备,其特征在于,所述固体物收集器具有观察口及泄露检查端口,所述观察口用于观察所述固体物收集器中固体物的量,所述泄露检查端口用于检测所述固体物收集器内密封状态和所述废气预处理系统内气体含量。
5.根据权利要求1所述的扩散炉管设备,其特征在于,所述等离子体室中的等离子体破坏所述废气中粉尘的分子化学键,以使所述粉尘分子分解并与所述氧气进行化学反应。
6.根据权利要求5所述的扩散炉管设备,其特征在于,所述废气中所述粉尘与所述氧气在所述等离子体室中反应分解式包括:
ZrCp(NMe2)3+19O2→ZrO2+1.5N2+11CO2+14H2O。
7.根据权利要求6所述的扩散炉管设备,其特征在于,所述等离子体室中所述等离子体的温度不低于200℃。
8.一种扩散炉管设备处理废气的方法,其特征在于,包括:
提供如上述1至7中任一项权利要求所述的扩散炉管设备;
在所述扩散炉管设备的扩散炉管反应室中制造半导体器件,产生所述废气,并将所述废气排放到所述废气预处理系统中,其中,所述废气包含颗粒状的粉尘;
所述废气预处理系统接收所述扩散炉管反应室排出的废气,并接收注入的氧气,使所述粉尘与氧气进行电化学反应,以将所述废气转变为固体废料和副产气体;以及
开启真空泵,以抽取所述副产气体。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述使所述粉尘与氧气进行电化学反应,以将所述废气转变为固体废料和副产气体包括:
通过产生等离子体,以破环所述废气中粉尘的分子化学键,以使所述粉尘分子分解并与所述氧气进行化学反应;
其中,所述等离子体的温度不低于200℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造