[发明专利]一种基于磁开关延时同步的IGBT串联电路在审
| 申请号： | 201810380925.1 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108736868A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 翟小社;王建华;姚晓飞;张伟 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081;H03K17/28;H03K17/567 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁开关 触发控制单元 半导体开关 电源 复位电源 复位绕组 延时同步 发射极 集电极 磁芯 正极 导通损耗 负极 正负极 门极 缠绕 电路 | ||
1.一种基于磁开关延时同步的IGBT串联电路，其特征在于，包括触发控制单元(6)、磁开关(1)、复位电源、电源及半导体开关(2)，所述半导体开关(2)由若干IGBT模块(7)组成，其中，磁开关(1)包括磁芯(4)以及缠绕于磁芯(4)上的复位绕组(3)及磁开关绕组(5)，其中，复位绕组(3)的两端分别与复位电源的正负极相连接，磁开关绕组(5)的一端与电源的正极相连接，磁开关绕组(5)的另一端与第一个IGBT模块(7)的集电极相连接，前一个IGBT模块(7)的发射极与后一个IGBT模块(7)的集电极相连接，最后一个IGBT模块(7)的发射极与电源的负极相连接，各IGBT模块(7)的门极分别与触发控制单元(6)相连接。
2.根据权利要求1所述的基于磁开关延时同步的IGBT串联电路，其特征在于，各IGBT模块(7)均并联有RC动态均压支路。
3.根据权利要求2所述的基于磁开关延时同步的IGBT串联电路，其特征在于，RC动态均压支路包括缓冲电阻(8)及缓冲电容(9)，其中，缓冲电阻(8)的一端与缓冲电容(9)的一端相连接，缓冲电阻(8)的另一端与对应IGBT模块(7)的集电极相连接，缓冲电容(9)的另一端与对应IBGT模块的发射极相连接。
4.根据权利要求1所述的基于磁开关延时同步的IGBT串联电路，其特征在于，磁芯(4)所用材料的磁化曲线为矩形曲线。
5.根据权利要求1所述的基于磁开关延时同步的IGBT串联电路，其特征在于，磁芯(4)所用材料为金属磁化玻璃材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810380925.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体开关元件的驱动电路
- 下一篇：电子负载MOS管驱动器保护电路
