[发明专利]半导体装置及电源转换电路在审
申请号: | 201810383439.5 | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN109148568A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 白井伸幸;松浦伸悌 | 申请(专利权)人: | 力祥半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/417 | 分类号: | H01L29/417;H01L29/423 |
代理公司: | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人: | 宋义兴;张立晶 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体装置 漏极电极 源极电极 栅极电极 电源转换电路 半导体基板 开关切换 凸状 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,上述半导体装置包括:
一半导体基板,具有彼此相对的一第一主面及一第二主面,且在上述半导体基板上形成有一栅极区域、一漏极区域及一源极区域;
一栅极电极,设置于上述半导体基板的上述第一主面且耦接上述栅极区域;
一漏极电极,设置于上述半导体基板的上述第一主面且耦接上述漏极区域;
一源极电极,设置于上述半导体基板的上述第一主面且耦接上述源极区域,上述源极电极的面积大于上述栅极电极的面积与上述漏极电极的面积;以及
一覆盖绝缘层,设置于上述半导体基板的上述第一主面,且上述覆盖绝缘层至少部分地覆盖上述栅极电极、上述漏极电极及上述源极电极;
其中,上述栅极电极的一栅极露出部从上述覆盖绝缘层露出,上述源极电极的一源极露出部从上述覆盖绝缘层露出,上述漏极电极的一漏极露出部从上述覆盖绝缘层露出,部分的上述源极电极设置于上述栅极电极与上述漏极电极之间,上述源极露出部设置于上述栅极露出部与上述漏极露出部之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,上述栅极露出部、上述源极露出部及上述漏极露出部相对上述半导体基板的一侧边而设置且相对于一基准线呈现线对称。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,上述源极露出部相对于上述基准线呈现线对称。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,上述半导体装置还包括:
一接线,耦接上述漏极区域或上述栅极区域,设置于上述栅极电极与上述漏极电极之间的上述部分的上述源极露出部设置于与上述接线相隔的内侧且上述部分的上述源极露出部与上述半导体基板的一侧边相隔一第一距离,其他的上述源极露出部、上述漏极露出部及上述栅极露出部与上述半导体基板的侧边相隔一第二距离,上述第一距离与上述第二距离相等。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,上述半导体装置还包括:
一栅极接线,设置于上述源极电极的周围,且耦接上述栅极区域及上述栅极电极。
6.一种电源转换电路,其特征在于,上述电源转换电路包括:
根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置;以及
一封装基板,具有一导电路径,且上述半导体装置被封装于上述导电路径上。
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