[发明专利]腔室清洁方法、基板处理方法和基板处理装置

说明书

提供用于清洁腔室的装置和方法。一种用于清洁具有用于处理基板的处理空间的腔室的方法包括：通过向处理空间中供应清洁介质来清洁腔室。清洁介质包括具有非极性的超临界流体和具有极性的有机溶剂。相对于非极性污染物和极性污染物，腔室的清洁效率得以改善。

技术领域

本发明的实施方式涉及用于清洁腔室的装置和方法。

背景技术

为了制造半导体器件，通过诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积等各种工序在基板上形成期望的图案。在这些工序中使用各种处理液，并且在工序中产生污染物和颗粒。为了解决该问题，在每个工序之前和之后必要地进行用于清洁污染物和颗粒的清洁工序。

通常，在通过化学品或冲洗液进行清洁工序之后，进行干燥工序。干燥工序是用于干燥残留在基板上的冲洗液，通过使用有机溶剂例如异丙醇(IPA)使基板干燥。然而，形成在基板上的图案之间的临界尺寸(CD)被减小到细小尺寸，有机溶剂残留在图案之间的空间中，并且进行超临界处理工艺以除去残留的有机溶剂。

超临界处理工艺在与外部隔离的高温高压气氛下进行。因此，超临界处理设备具有复杂的结构。如果污染物存在于设备的复杂结构内部，则可能会对基板造成重大故障。因此，为了除去污染物，必须定期进行清洁工序。

超临界处理设备进行清洁过程，用于对装配后的设备进行老化或冲洗，或者用于除去在进行超临界处理工序之后在设备中残留的污染物。

图1是示出在装配的超临界处理设备的内部空间中残留的颗粒的截面图。参考图1，由于超临界处理设备具有密封的内部，因此仅通过使用超临界流体来进行清洁工序。然而，由于超临界流体通常具有非极性，因此超临界流体难以去除具有极性的污染物A。

作为现有技术，已经公开了韩国未审专利公开No.2012-0113181。

发明内容

本发明的实施方式提供能够改善超临界处理设备的冲洗效率的方法和装置。

本发明的实施方式提供能够快速进行超临界处理设备的清洁工序的方法和装置。

本发明的实施方式提供当冲洗超临界处理设备时能够容易地冲洗非极性污染物和极性污染物中的每个的方法和装置。

根据示例性实施方式，提供用于清洁腔室的装置和方法。

清洁具有用于处理基板的处理空间的腔室的方法包括通过将清洁介质供应到处理空间中来清洁腔室，其中清洁介质包括具有非极性的超临界流体和具有极性的有机溶剂。

可以将有机溶剂从腔室的外部供应到虚设基板上，并且可以将具有以特定厚度供应的有机溶剂的虚设基板设置在处理空间中。在可以将虚设基板设置在处理空间中并且将处理空间与外部隔绝的状态下，可以通过与腔室连接的流体供应管线将超临界流体供应到处理空间。

在处理空间向外部开放的状态下，可以将有机溶剂从设置在腔室外部的溶剂喷嘴供应到处理空间中。在将有机溶剂供应到处理空间中之后，可以将处理空间与外部隔绝，然后可以通过与腔室连接的流体供应管线将超临界流体供应到处理空间中。

在处理空间与外部隔绝的状态下，可以通过与腔室连接的溶剂供应管线将有机溶剂供应到处理空间中。在处理空间与外部隔绝的状态下可以通过与腔室连接的流体供应管线将超临界流体供应到处理空间中，溶剂供应管线可以与流体供应管线连接，并且可以通过流体供应管线将有机溶剂供应到处理空间。有机溶剂和超临界流体可以同时供应。

腔室可以是用于对基板进行超临界处理工序的高压腔室。超临界流体可以包括二氧化碳(CO₂)。有机溶剂可以包括甲醇、乙醇、1-丙醇、丙酮、乙腈、氯仿、二氯甲烷和乙酸乙酯中的一种。