[发明专利]切削装置在审
申请号: | 201810384249.5 | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN108807222A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 小松淳 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工条件 模拟图 切削装置 晶片 切削刀具 输入单元 显示面板 切削槽 卡盘工作台 被加工物 构成要素 剖面形状 前端距离 切削单元 切削加工 输入加工 切削 | ||
提供切削装置,抑制对被加工物形成错误的位置或尺寸的切削槽,实施更适当的切削加工。切削装置具有:卡盘工作台;切削单元;输入加工条件的输入单元;显示输入单元所输入的加工条件的显示面板(80);以及对各构成要素进行控制的控制单元。控制单元具有:加工条件登记部,其将切削刀具的前端距离保持面的高度、切削刀具的厚度以及晶片(201)的厚度作为加工条件用数值进行登记;以及模拟图生成部,其生成模拟图(102a),该模拟图表示按照所登记的加工条件对晶片(201)进行切削而将会在晶片(201)上形成的切削槽的剖面形状。显示面板(80)显示模拟图(102a)。
技术领域
本发明涉及切削装置。
背景技术
以往,公知在将半导体晶片等被加工物分割成多个器件芯片时实施各种切削加工。例如专利文献1中公开了如下的技术:为了实现器件芯片的轻薄短小化,在通过磨削加工对晶片进行薄化之前,利用切削刀具对形成在晶片周缘的用于防止破损的倒角部进行预修边。由此,在残留有形成在周缘的倒角部的状态下对晶片进行薄化,从而抑制晶片的周缘成为锐角化的刀刃状,抑制容易在周缘产生损伤或缺口的情况。
另外,在专利文献2中公开了涉及阶梯式切割的技术:在利用第1刀具在晶片上形成了半切槽之后,利用厚度比第1刀具薄的第2刀具在同一位置形成全切槽,从而对晶片进行单片化。由此,在切削加工时抑制在晶片的正面和背面上产生崩边。
专利文献1:日本特开2007-158239号公报
专利文献2:日本特开平04-099607号公报
在上述专利文献1中记载的进行晶片的修边的情况下,为了不错误地对器件进行切削,需要设定仅选择性地对围绕形成有器件的器件区域的外周剩余区域(未形成器件的区域)进行切削的加工条件。另外,在专利文献2中记载的进行晶片的阶梯式切割的情况下,为了得到期望的加工结果,也需要设定能够将半切槽和全切槽形成在适当的位置、形成为适当的大小的加工条件。但是,加工条件是用数值对切削刀具的高度(切入量)等进行设定的,因此操作者难以直观地识别基于修边的切削槽的尺寸、基于阶梯式切割的切削槽的尺寸之类的加工后的晶片的形状。因此,有可能在加工条件的设定时(登记时)设定错误的条件而无法进行适当的切削加工。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于,抑制对被加工物形成错误的位置或尺寸的切削槽,实施更适当的切削加工。
为了解决上述课题实现目的,本发明为切削装置,该切削装置具有:卡盘工作台,其利用保持面对被加工物进行保持;切削单元,其利用切削刀具对该卡盘工作台所保持的被加工物进行切削;输入单元,其输入对该被加工物进行加工的加工条件;显示面板,其显示该输入单元所输入的该加工条件;以及控制单元,其对各构成要素进行控制,该切削装置的特征在于,该控制单元具有:加工条件登记部,其将该切削刀具的前端距离该保持面的高度、该切削刀具的厚度以及该被加工物的厚度作为该加工条件用数值进行登记;以及模拟图生成部,其生成模拟图,该模拟图表示按照所登记的该加工条件对该被加工物进行切削而将会在该被加工物上形成的切削槽的剖面形状,该显示面板显示该模拟图。
另外,优选该被加工物是在外周侧面具有倒角部的圆板状的晶片,在该加工条件登记部中,登记有沿着外周呈环状对该晶片进行切削并形成将该倒角部去除的环状槽的该加工条件,该模拟图生成部生成包含该环状槽的剖面形状在内的该模拟图。
另外,优选该切削单元具有:第1切削单元,其安装有第1厚度的第1切削刀具;以及第2切削单元,其安装有比该第1厚度的切削刀具薄的第2切削刀具,在该加工条件登记部中,登记有利用该第1切削刀具沿着形成于该被加工物的分割预定线而形成半切槽并利用该第2切削刀具在该半切槽的底部形成全切槽的该加工条件,该模拟图生成部生成包含该切削槽的剖面形状在内的该模拟图,该切削槽具有该半切槽和该全切槽。
另外,优选该模拟图与该加工条件一起显示在该显示面板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造