[发明专利]等离子处理装置有效
申请号: | 201810384258.4 | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN108807123B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 上田雄大;永井健治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 | ||
1.一种等离子处理装置,其特征在于,
该等离子处理装置具有:
第1载置台,其载置成为等离子处理的对象的被处理体;
第2载置台,其设于所述第1载置台的外周,并载置聚焦环,且在内部设有调温机构;以及
升降机构,其使所述第2载置台在载置了所述聚焦环的状态下进行升降。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述第2载置台与所述第1载置台导通、或与向所述第1载置台供给RF电力的RF电源导通。
3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其特征在于,
该等离子处理装置还具有测量部,该测量部测量所述聚焦环的上表面的高度,
所述升降机构以使所述聚焦环的上表面相对于所述被处理体的上表面保持预先设定的范围的方式驱动。
4.根据权利要求3所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述升降机构和所述测量部相对于所述第2载置台设有三组以上,并以使所述聚焦环的上表面保持规定的高度的方式独立驱动。
5.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述第1载置台设有凸缘部,该凸缘部沿着外周向外侧突出,并在周向上的三个以上的位置设有沿轴向贯穿的贯通孔,
所述第2载置台沿着所述第1载置台的外周配置于所述凸缘部的上部,并在与所述凸缘部相对的下表面的与所述贯通孔相对应的位置设有插入于所述贯通孔的柱状部,
所述升降机构通过使所述柱状部相对于所述贯通孔沿轴向移动从而使所述第2载置台升降,
该等离子处理装置还包括:
第1密封构件,其设于所述贯通孔,并与所述柱状部接触而进行密封;
第2密封构件,其设于所述第1载置台和所述第2载置台的沿轴向并行的面,该第2密封构件将所述第1载置台与所述第2载置台之间密封;以及
减压部,其对所述第1载置台与所述第2载置台之间的由所述第1密封构件和所述第2密封构件形成的空间减压。
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