[发明专利]一种半导体器件及其封装方法、集成半导体器件在审
| 申请号： | 201810384902.8 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110416093A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 江伟 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 引线框架 铜桥 塑封材料 半导体器件 背离 集成半导体器件 结合材 封装 半导体器件结构 使用寿命 散热 塑封 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，该半导体器件包括：
铜桥框架；
引线框架；
所述铜桥框架与所述引线框架之间设置有芯片，所述引线框架与所述芯片之间通过结合材连接，所述铜桥框架与所述芯片之间通过结合材连接，所述铜桥框架、所述芯片与所述引线框架通过塑封材料塑封在一起，所述铜桥框架背离所述芯片一侧从所述塑封材料中露出，所述引线框架背离所述芯片一侧从所述塑封材料中露出。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述铜桥框架具有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述芯片的功率电极连接，所述第二焊盘与所述芯片的栅极连接。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一框架具有弯折部，所述弯折部上方设置有用于与芯片焊接的凸起平台，所述凸起平台朝向所述弯折部还设置有用于定位结合材的凹槽。
4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二焊盘设置有与第一焊盘相对应的弯折部。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述引线框架设置有用于与所述芯片连接的连接部。
6.如权利要求1-5所述的半导体器件，其特征在于，所述塑封材料是环氧树脂。
7.如权利要求1-5所述的半导体器件，其特征在于，所述结合材的材料为锡膏。
8.一种集成半导体器件，其特征在于，包括权利要求1-7任一所述的半导体器件。
9.一种半导体器件封装方法，其特征在于，该封装方法包括：
在引线框架上方设置第一结合材；
在第一结合材上方设置芯片；
在芯片背离第一结合材一侧的表面设置第二结合材；
在第二结合材上方设置铜桥框架，并使所述铜桥框架与所述芯片的功率电极和栅极连接；
通过塑封材料将引线框架和铜线框架塑封。
10.如权利要求9所述的半导体器件封装方法，其特征在于，
所述在引线框架上方设置第一结合材时，采用焊接方式将所述第一结合材焊接在引线框架上；
所述在第一结合材上方设置芯片时，采用焊接的方法将所述芯片焊接在第一结合材上。
11.如权利要求9所述的半导体器件封装方法，其特征在于，所述在芯片背离第一结合材一侧的表面设置第二结合材，包括：
在芯片背离第一结合材表面的电极上点结合材，完成芯片点胶，并形成第二结合材。
12.如权利要求9所述的半导体器件封装方法，其特征在于，所述通过塑封材料将引线框架和铜线框架塑封，包括：
通过模压制程完成塑封材料的塑封。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
