[发明专利]一种Ⅱ-型核壳结构量子点及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810385108.5 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108666141B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 赵高凌;卢王威;占丰;钱怡潇;韩高荣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042 |
| 代理公司： | 33224 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱朦琪<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 核壳结构 量子点 制备 量子点敏化 光电极 壳层 量子点敏化太阳能电池 制备方法和应用 光电转化效率 光生电子 注入效率 光捕获 摩尔比 核层 应用 | ||
1.一种Ⅱ-型核壳结构量子点，包括壳层与核层，其特征在于，组成为CdZnTe@CdS，所述元素Cd与元素Zn的摩尔比为1.8：1，核层CdZnTe的粒径为3.0±0.1nm，壳层CdS的厚度为0.9±0.1nm。
2.一种根据权利要求1所述的Ⅱ-型核壳结构量子点的制备方法，其特征在于，包括：
(1)采用水相法制备CdZnTe多元量子点；
(2)通过连续离子层吸附与反应法在所述CdZnTe多元量子点表面包覆CdS壳层。
3.一种量子点敏化光电极，包括宽带隙半导体薄膜和沉积在所述薄膜上的量子点敏化剂，其特征在于，采用如权利要求1所述的Ⅱ-型核壳结构量子点作为量子点敏化剂。
4.一种根据权利要求3所述的量子点敏化光电极的制备方法，其特征在于，包括：
步骤一、在透明导电基材表面制备宽带隙半导体薄膜，再采用连接剂对所述宽带隙半导体薄膜进行处理；
步骤二、采用水相法制备CdZnTe多元量子点，再采用化学浴法将所述CdZnTe多元量子点锚定在步骤一处理后的宽带隙半导体薄膜表面；
步骤三、通过连续离子层吸附与反应法在所述CdZnTe多元量子点表面包覆CdS壳层，制备得到量子点敏化光电极。
5.根据权利要求4所述的量子点敏化光电极的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述宽带隙半导体薄膜选自二氧化钛薄膜、氧化锌薄膜、二氧化锡薄膜和/或三氧化钨薄膜。
6.根据权利要求4所述的量子点敏化光电极的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述连接剂为双官能团有机小分子。
7.根据权利要求6所述的量子点敏化光电极的制备方法，其特征在于，所述双官能团有机小分子选自巯基乙酸、巯基丙酸、L-半胱氨酸中的至少一种。
8.一种量子点敏化太阳能电池，其特征在于，包括如权利要求3所述的量子点敏化光电极。
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