[发明专利]高压电平移位电路及驱动装置

权利要求书

1.一种高压电平移位电路，其特征在于，具备：

第1高耐压NMOS晶体管，其由接通指令进行驱动；

第2高耐压NMOS晶体管，其由断开指令进行驱动；

第1PMOS电流镜电路，所述第1高耐压NMOS晶体管的漏极电流被输入至所述第1PMOS电流镜电路的基准侧；

第2PMOS电流镜电路，所述第2高耐压NMOS晶体管的漏极电流被输入至所述第2PMOS电流镜电路的基准侧；

第1NMOS电流镜电路，所述第2PMOS电流镜电路的输出电流被输入至所述第1NMOS电流镜电路的基准侧；以及

I/V信号变换电路，其被输入所述第1PMOS电流镜电路的输出和所述第1NMOS电流镜电路的输出而得到输出控制电压信号，

该高压电平移位电路具有：

第1PMOS晶体管，其并联连接于所述第1PMOS电流镜电路的基准侧PMOS晶体管的源极及漏极；以及

第2PMOS晶体管，其并联连接于所述第2PMOS电流镜电路的基准侧PMOS晶体管的源极及漏极，

所述第1PMOS晶体管的栅极由所述第2PMOS电流镜电路的栅极电位驱动，

所述第2PMOS晶体管的栅极由所述第1PMOS电流镜电路的栅极电位驱动。

2.根据权利要求1所述的高压电平移位电路，其特征在于，还具备：

第2NMOS电流镜电路，所述第1PMOS电流镜电路的输出电流被输入至所述第2NMOS电流镜电路的基准侧；以及

第3PMOS电流镜电路，所述第2NMOS电流镜电路的输出电流被输入至所述第3PMOS电流镜电路的基准侧，

所述I/V信号变换电路被输入所述第1NMOS电流镜电路的输出和所述第3PMOS电流镜电路的输出而得到输出控制电压信号。

3.根据权利要求1所述的高压电平移位电路，其特征在于，

所述第1NMOS电流镜电路为将输出电流反馈至基准侧电流的威尔逊型电流镜电路。

4.根据权利要求2所述的高压电平移位电路，其特征在于，

所述第1NMOS电流镜电路为将输出电流反馈至基准侧电流的威尔逊型电流镜电路。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的高压电平移位电路，其特征在于，

所述第1及第2PMOS电流镜电路为将输出电流反馈至基准侧电流的威尔逊型电流镜电路。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的高压电平移位电路，其特征在于，

所述I/V信号变换电路为锁存电路。

7.根据权利要求5所述的高压电平移位电路，其特征在于，

所述I/V信号变换电路为锁存电路。

8.一种驱动装置，其特征在于，

具备权利要求1～7中任一项所述的高压电平移位电路，该驱动装置对由SiC材料构成的功率器件进行驱动。