[发明专利]半导体专用高温焊锡膏

权利要求书

1.半导体专用高温焊锡膏，其特征在于，包括助焊剂和锡基合金粉，所述助焊剂包括以下重量百分比的原料：触变剂16%，活性剂16%，聚合松香20%-22%，氢化松香11%-13%，余量为有机溶剂；

所述触变剂包括以下重量百分比的原料：乙撑双硬脂酰胺1%-6%，高性能酰胺蜡微粉2%-5%，聚酰胺改性的氢化蓖麻油衍生物1-5%，余量为丁基卡必醇-松油醇的混合物；

所述活性剂包括以下重量百分比的原料：癸基十四酸2%-8%，氟表面活性剂0.5%-2%，2-乙基咪唑2%-6%，余量为丁基卡必醇-松油醇的混合物。

2.根据权利要求1所述的半导体专用高温焊锡膏，其特征在于，所述锡基合金粉由锡Sn5 %、铅Pb 92.5 %、银Ag 2.5 %组成。

3.根据权利要求1所述的半导体专用高温焊锡膏，其特征在于，所述触变剂包括以下重量百分比的原料: 乙撑双硬脂酰胺4 %，高性能酰胺蜡微粉3 %，聚酰胺改性的氢化蓖麻油衍生物3 %，余量为丁基卡必醇-松油醇的混合物。

4.根据权利要求1所述的半导体专用高温焊锡膏，其特征在于，所述活性剂包括以下重量百分比的原料: 癸基十四酸6 %，氟表面活性剂1 %，2-乙基咪唑4 %，余量为丁基卡必醇-松油醇的混合物。

5.根据权利要求1所述的半导体专用高温焊锡膏，其特征在于，所述助焊剂和锡基合金粉的重量比为（10 %-15 %）：（85 %-90 %）。

6.根据权利要求1所述的半导体专用高温焊锡膏，其特征在于，所述助焊剂还包括对苯二酚1 %-2 %。

7.根据权利要求1所述的半导体专用高温焊锡膏，其特征在于，所述半导体专用高温焊锡膏的制备方法包括以下步骤：

S1、将上述重量百分比的聚合松香、氢化松香和有机溶剂置于反应釜中混合，搅拌加热至145 ℃-155 ℃进行溶解；

S2、往反应釜中加入触变剂和活性剂；

S3、待反应釜反应完全后，冷却到室温，制备得到助焊剂；

S4、将助焊剂和锡基合金粉按比例在分散机中进行混合搅拌，搅拌均匀后制得半导体专用高温焊锡膏。